图中阴影部分为晶闸管的通态电流波形i1，电流波形的峰值为Im1。计算电流波形的平均值Id1与有效值I1。<img src='https://img2.soutiyun.com//1/2021-06-07/991924069846758.png' />
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在规定条件下，由门极触发晶闸管使其导通晶闸管能够承受而不至损坏的通态电流最大上升率称为通态电流临界上升率di/dt。
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如果通过晶闸管的通态电流上升率过大，而其他一切满足规定条件时，则晶闸管将（）。
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晶闸管自动励磁装置输出电压波形（）正弦波；元件抗过电压、过电流能力较（）。
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通过晶闸管的通态电流上升率过大，可能会造成晶闸管因局部过热而损坏，而加到晶闸管阳极上的电压上升率过大，可能会造成晶闸管的（）。
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晶闸管的通态平均电流大于200安培，外部均为平板式。
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KP20-10表示普通反向阻断型晶闸管的通态正向平均电流时（）。
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晶闸管交流调压电路输出的电压与电流波形都是非正弦波，导通角（），即输出电压越低时，波形与正弦波差别越大。
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晶闸管整流装置，若负载端串接大电感使输出电流为平直波形，则负载上消耗的功率为（）
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若流过晶闸管的电流的波形系数为1.11，则其对应的电波波形为（）。
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晶闸管从通态转化为阻断状态的条件是：（）电流降到维持电流以下。
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若流过晶闸管的电流的波形分别为全波、半波、导通角为120的方波、导通角为90的方波时，则对应的电流波形系数分别为（）。
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晶闸管的功耗是通态平均电压与通态平均电流的乘积。所以说可控硅的通态平均电压越大越好。
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在规定条件下，不论流过晶闸管的电流波形如何，与不论晶闸管的导通角有多大，只要通过管子的电流的有效值不超过该管的额定电流的有效值，管子的发热是允许的。
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晶闸管交流调压电路输出的电压与电流波形都是非正弦波，导通角θ（），即輸出电压越低时，波形与正弦波差别越大。
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晶闸管交流调压电路输出的电压与电流波形都是非正弦波，导通角θ（），即输出电压越低时，波形与正弦波差别越大。
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如果通过晶闸管的通态电流上升率过大，而其它一切满足规定条件时，则晶闸管将（）。
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普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
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晶闸管实际工作电流的有效值等于晶闸管实际工作电流平均值乘以实际工作电流波形的波形系数。
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在以（ùt)为横轴的电流波形图中，取任一角度所对应的电流值叫该电流的（)。
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图中阴影部分为晶闸管的通态电流波形i3，电流波形的峰值为Im3。计算电流波形的平均值Id3与有效值I3。<img src='https://img2.soutiyun.com//1/2021-06-07/991923977221993.png' />
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普通晶闸管的通态电流( )是用( )来表示
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普通晶闸管的通态电流（额定电流)是用电流的（)来表示的
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晶闸管交流调压电路输出的电压与电流波形都是非正弦波，导通角() ，即输出电压越低时，波形与正弦波差别越大。
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晶闸管交流调压电路输出的电压与电流波形都是非正弦波，导通角（），即输出电压越低时，波形与正弦波差别越大
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