击穿强度度、介损tgδ小的绝缘油，体积绝缘电阻也一定小。
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当测到DW8—35断路器合闸对地的介损tgδ若超过规程规定，则可认为该相两支电容套管的tgδ值也超过规程值。
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在“预规DL/T 5961996”中，对（）等绝缘，因为缺陷的集中性及体积大，通常不做tgδ测试。而对互感器、套管、电容器等则要做tgδ测试。
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一台DW8—35型断路器，其A相一支套管的测试介损tgδ为7.9%；落下油桶时，为6.7%；去掉灭弧室时，为5.7%。这说明该套管的绝缘是良好的。
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二次回路经过绝缘电阻测试以后，还不能作为绝缘强度的依据，还要进行交流耐压试验。试验标准规定，以500V交流电压耐受1min无击穿现象为合格。
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用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。
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测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器，其主绝缘介损tgδ值为0.33%；末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%，以下几种诊断意见，其中（）哪项是错误的。
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一台LCWD2-220电流互感器主绝缘的介损tgδ值为0.33%，绝缘电阻10000MΩ，末屏对地绝缘电阻为60MΩ，介损tgδ值16.3%，是否可以继续运行（）。
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在一定频率的交流电场中，当一定电压施加给某一绝缘介质时，其损耗与tgδ成正比。
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对一台LCWD2-110电流互感器，根据其主绝缘的绝缘电阻10000Ω、tgδ值为0.33%；末屏对地绝缘电阻60MΩ、tgδ值为16.3%，给出了各种诊断意见，其中（）项是错误的。
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在一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。
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通常把绝缘电阻、泄漏电流、介损tgδ、油的化学性能等的试验叫作绝缘的予防性试验，试说明这些试验项目可以发现的绝缘缺陷的类型。
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绝缘电阻也有体积绝缘电阻和表面绝缘电阻之分。
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用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
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测量35kV及以上全绝缘的电压互感器的介损tgδ，其绕组一次首尾端短接后加压，其余绕组首尾端短路接地，此方法一般称为（）。
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（）及以下设备经交接试验后超过12个月未投入运行，或运行中设备停运超过12个月的，在投运前应进行测量绝缘电阻、tanδ、绝缘油的水分和击穿电压、绝缘气体湿度等试验。
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绝缘电阻低的试品，交流耐压一定会击穿。（）
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在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
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绝缘良好的tgδ不随电压的升高而明显增加。若绝缘内部有缺陷，则其tgδ将随电压的升高而明显增加。
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绝缘材料的电性质包括（）、绝缘电阻、能量损耗和击穿电场强度。
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当绝缘受潮、老化时，有功电流IR将增大，tgδ也增大。通过测量tgδ很灵敏地反映出绝缘的集中缺陷。
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击穿强度高，介质损耗因数tgδ小的绝缘油，体积电阻一定小。
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电流互感器一次绕组绝缘电阻低于前次测量值的（）及以下，或tgδ大于规定值时应干燥处理。
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若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1=5%,C1=250pF；而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2=0.4%,C2=10000pF,则设备整体绝缘试验时,其总的tgδ值与（）接近
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电缆的绝缘层要求具有以下性能：较高的工频、脉冲击穿强度，低的介质损耗角正切值（tgδ），____的绝缘电阻，优良的耐树枝放电与局部放电性能，具有一定的柔软性和机械强度，且绝缘性能要长期稳定。
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