一般采用（）方法来改变单结晶体管触发电路的振荡频率。

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• 单结晶体管触发电路的移相范围是（）

  A . A、90° B . B、120° C . C、150° D . D、180°

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• 一般通过改变（）来改变单结晶体管触发电路的震荡频率。

  A . A、Ｒe B . B、C C . C、L D . D、U

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• 单结晶体管驰张振荡电路输出的电压波形是（）

  A . A、锯齿波 B . B、正弦波 C . C、矩形波 D . D、尖脉冲

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• 改变三相桥式逆变电路晶体管的触发频率就能改变输出电压的频率。

  A . 正确 B . 错误

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• 单结晶体管触发电路的同步电压信号来自（）。

  A . A、负载两端 B . B、整流电源 C . C、脉冲变压器 D . D、晶闸管

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• 单结晶体管触发电路中，单结晶体管发射极的电容容量变大，控制角（）。

  A . 变小 B . 不变 C . 变大 D . 其它

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• 单结晶体管触发电路输出（）。

  A . A、双脉冲 B . B、宽脉冲 C . C、单脉冲 D . D、尖脉冲

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• 单结晶体管触发电路中，稳压管断开，电路能正常工作。

  A . 正确 B . 错误

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• KGLF11系列晶闸管同步电动机励磁装置的触发电路采用带小功率晶闸管放大的单结晶体管触发电路（）

  A . 正确 B . 错误

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• 单结晶体管的振荡电路是利用单结晶体管发射特性中的（）。

  A . 饱和区 B . 截止区 C . 负阻区 D . 触发区

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• 单结晶体管同步振荡触发电路中，改变Re能实现（）。

  A . A.移相 B . B.同步 C . C.增大脉冲宽度 D . D.增大脉冲幅值

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• 改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般采用（）。

  A . A、变尺 B . B、变c C . C、变L D . D、变c和L

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• 用稳压管削波的梯形波给单结晶体管自激振荡电路供电，目的是为了使触发脉冲与晶闸管主电路实现同步。

  A . 正确 B . 错误

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• 单结晶体管触发电路的最大移相范围一般在（）。

  A . A、0～90 B . B、0～180 C . C、0～150 D . D、0～120

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• 晶体管触发电路中的移相一般采用在同步波形上叠加（），通过改变此信号的大小来实现。

  A . 直流信号 B . 直流控制信号 C . 交流信号 D . 交流控制信号

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• 晶体管触发电路输出的触发功率与单结晶体管触发电路相比（）。

  A . A、较大 B . B、较小 C . C、一样 D . D、无法确定

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• 单结晶体管触发电路要产生振荡，单结晶体管必须工作在：（）。

  A . A、截止区 B . B、负阻区 C . C、饱和区 D . D、负阻区或饱和区

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• 改变单结晶体管触发电路的振荡频率，一般采用改变（）的方法。

  A . A、基极电阻 B . B、两基极之间的电压 C . C、发射极上RC电路的时间常数 D . D、单结管的电流

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• 单结晶体管脉冲触发电路中，调节电位器RP可以改变电容C充电的快慢，即改变触发角，RP变大或C值越大则控制角也越大，可控硅的导通角也越大。（)

  是 否

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• 单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管（)的工作特性设计的

  A．截止区 B．负阻区 C．饱和区 D．任意区域

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• 单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管()的工作特性设计的。

  A．截止区 B．负阻区 C．饱和区 D．任意区域

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• 三单结晶体管触发电路通过调节（）来调节控制角α

  A．电位器 B．电容器 C．变压器 D．电抗器

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• 194、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管（)的工作特性设计的。

  A．截止区 B．负阻区 C．饱和区 D．任意区域

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• 3、单结晶体管触发电路输出的是（）波形

  A．尖脉冲 B．方脉冲 C．强触发脉冲 D．不确定

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