已知放大电路中的一只低频小功率晶体管的静态基极电流为0.047mA,则其微变等效输入内阻为()。
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DDZ-Ⅱ型开方器中,输出晶体管采用共基极电路,它对电流不起放大作用,但能起到()作用,使输出阻抗变为()输出。
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晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie是()。
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用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时,X轴作用开关应置于基极电压,Y轴作用开关置于基极电流或基极源电压。
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在共发射极晶体管的放大电路中,当无输入信号(静态)时,集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极()放大系数。
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放大电路如图11-13所示,已知:RB=240kΩ,RC=3kΩ,,晶体管β=40,U=12V,现该电路中的晶体管损坏,换上一个β=80的新管子,若要保持原来的静态电流IC不变且忽略Ube,应把RB调整为()kΩ。https://assets.asklib.com/psource/2015110114245564276.jpg
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在如图所示电路中,晶体管工作于放大区,设各电路元件参数已知,若晶体管的电流放大倍数为β,则该电路的电压放大倍数和输出电阻分别为()。https://assets.asklib.com/psource/2015110110302722226.jpg
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当改变单一晶体管放大电路基极电阻Rb而其它参数不变时,其静态工作点Q随之向()移动。
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共基极电路特点是输入阻抗较小,输出阻抗较大,电流、电压和功率的放大倍数以及稳定性与频率特性较差。
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晶体管静态放大倍数β表示(),其中用IC表示集电极直流电流,IB表示基极直流电流。
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在共发射极晶体管的放大电路中,当加有输入信号(动态)时,集电极电流的变化量ΔIc与基极电流变化量ΔIb的比值称为共发射极()放大系数。
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晶体管放大电路,已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib,发射极电流Ie等于()。
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图7-52中a所示的固定偏置放大电路中,已知晶体管的输出特性曲线和电路的直流负载线[图7-52中的b],可得出该电路的静态值为()。https://assets.asklib.com/psource/2015110111430173101.jpg
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对于功率晶体管的基极驱动电路,驱动电流的后沿应是一个较大的负电流,以利于功率晶体管的()。
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由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态,所以小信号等效电路已不再适用。( )
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晶体三极管在放大状态时,当管子的基极电流为10微安时,集电极电流为1毫安,则三极管的静态电流放大系数是( )。
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晶体管放大电路直流工作点指的是:基极电流IB、集电极电流 IC和电流放大系数β。
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如图1.3.16所示电路为晶体管放大器等效电路,电路中各电阻及β均为已知,求电流放大系数Ai(Ai=i2/i1
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在如图所示电路中,晶体管工作于放大区,设各电路元件参数已知,若晶体管的电流放大倍数为β,则该电路的电压放大倍数和输出电阻分别为()。
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用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时,X轴作用开关应置于基极电压,Y轴作用开关置于基极电流或基极源电压。此题为判断题(对,错)。
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如图所示的功率放大电路处于()类工作状态;其静态损耗为();电路的最大输出功率为();每个晶体管的管耗为最大输出功率的()倍。
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已知某理想乙类功率放大电路晶体管的PT1m=2W,则该放大电路的最大输出功率可达 。
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在多级放大电路中的级间耦合、低频交流电压放大电路主要采用耦合方式;功率放大电路一般采用耦合方式;直流和极低频的放大电路常采用耦合方式()
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将单管放大电路的静态基极电流IB适当调大,将集电极电阻RC的阻值适当调小,则该放大电路的通频带将().
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2、在低频小信号放大电路中,合适地设置静态工作点的目的是()。
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