配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。
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要确定炼焦配煤的配煤比,要进行()实验。
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改变结焦时间或改变标准温度时,应该加测焦饼中心温度。
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测量焦饼中心温度的目的是什么?在何种情况下,要测焦饼中心温度?
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一般情况下,装煤水份每变化1%时,焦饼中心温度将变化()℃。
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焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
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焦饼中心温度一般控制在()。
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改变结焦时间或改变标准温度时,应该测量焦饼中心温度。
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炉顶空间温度只与装煤、平煤及调火操作有关,与炉体结构及配煤比等因素无关。
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装入煤水分变化1%,焦饼中心温度和标准温度有什么变化
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正常情况下,焦饼中心温度每季度测量两次。
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焦饼的中心温度一般在()℃,焦饼上、下温差应小于()℃。
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测量焦饼中心温度的目的是什么?
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测量焦饼中心温度,插管时必须使炉盖上的孔与炭化室中心线一致。
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焦饼中心温度是焦炭成熟的指标,一般生产中焦饼中心温度达()时焦饼已成熟。
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在大尺寸测量中,温度影响更为突出,因此必须严格控制温度的变化。
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测量焦饼中心温度,在插管之后开始测量煤线。
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为什么要测量焦饼中心温度?
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测量焦饼中心温度时记录哪些技术指标?()
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测焦饼中心温度是为了(),对大型硅砖焦炉来说,要求最终的焦饼中心温度是()。
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当焦饼中心温度达到()时,焦炭即告成熟。
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正确实现预定的配煤比关系到配煤的质量,因此,必须选择()的合理方法。
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焦饼中心温度达到℃时焦饼已成熟()
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一般情况下,配煤水分每波动1%,焦饼中心温度将变化()
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装入煤的质量改变太大时,例如,配煤中的水分和挥发分改变3%,堆密度改变5%以上时,应该测量焦饼中心温度。()
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