二极管的正向特性明显分为两个区域，分别是（）和（）区；对硅管而言，这两个区的电压大致为（）和0.7V。
相似题目
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开关二极管和普通二极管的导电特性相同，即加正向偏置电压导通，正向电阻很小；加反向偏置电压截止，（）电阻很大。
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晶体三极管的工作状态分为三个区域，当发射结正向偏置，集电结反向偏置时，曲线近似水平的部分称为（）。
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二极管正向特性测量的方法是（）
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在二极管特性的正向区，二极管相当于（）
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齐纳二极管和雪崩二极管具有相似的伏安特性，该特性分为三个区，即（）。
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反映二极管的电流与电压的关系曲线叫二极管的伏安特性曲线，有正向特性曲线和反向特性曲线之分。
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晶体三极管的特性可分为正向特性、反向特性及反击穿特性。
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三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏量是：发射结加正向电压，集电极加正向电压。
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晶体三极管的输出特性曲线可分为截止区、放大区和（）三个区域。
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三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏置是：（）加正向电压，（）加正向电压。
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在晶体二极管特性的正向区，晶体管相当于断开的开关。
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硅整流二极管的（）和（）分别是它们的两个电极，可分为（）管子和（）管子。
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当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门坎电压时，则晶体二极管相当于（）
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在计算机仿真实验中，光电管的伏安特性曲线分为正向伏安特性曲线和（）伏安特性曲线两个部分
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在晶体二极管特性的正向区，晶体管相当于（）。
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在三极管的输出特性曲线上，按照工作状态分为：工作区和截止区。
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二极管的伏安特性当温度降低后，二极管的正向电压和反向电流分别按如下规律变化（）
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三极管的输出特性曲线的上升和弯曲部分为饱和区（）
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测量二极管时，将万用表选择开关旋至RF100或RF1K档上，然后用正负表笔分别按正向和反向接线测量二极管两端，这时发现所测得的两个读数相差不大，说明该二极管没有损坏。
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在晶体二极管特性的正向区，晶体管相当与（）。
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在图9.4.9所示的两个电路中，已知ui=30sinwtV，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压uo的波形。
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晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是（)、（)和（)。
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开关二极管和普通二极管的导电特性相同，即加正向偏置电压导通，正向电阻很小;加反向偏置电压截止，（)电阻很大。
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构件在交变应力作用下发生破坏时，其断口明显地分为两个区域，即（)区和（)区。