硅管的死区电压约为（）。

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• 硅管的死区电压为05V，锗管的死区电压为（）

  A . A、05V B . B、07V C . C、04V D . D、02V

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• 硅管的死区电压约为（）。

  A . 0.8V B . 0.9V C . 0.7V D . 0.6V

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• 二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。

  A . 0.2 B . 0.3 C . 0.5 D . 0.7

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• 二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。

  A . 0.1；0.2 B . 0.2；0.3 C . 0.5；0.1 D . 0.5；0.4

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• 二极（硅）管的死区电压为（）。

  A . 0.1V B . 0.5V C . 1V D . 1.2V

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• 在三极管的输入特性曲线中，锗管的死区电压约为（）左右。

  A . A、0.3V B . B、0.1V C . C、0.2V D . D、0.5V

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• 硅管的正向导通电压约为0．7V．

  A . 正确 B . 错误

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• 硅管的导通电压约为0．3V。

  A . 正确 B . 错误

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• 导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。

  A . A、0.5V B . B、0.7V C . C、0.3V D . D、0.1V

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• 二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。

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• 硅管的正向电压为0．2V。

  A . 正确 B . 错误

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• 硅管与锗管的死区电压分别为（）。

  A . A、0.7，0.3 B . B、0.3，0.7 C . C、0.5，0.2 D . D、0.2，0.5

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• 锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。

  A . 正确 B . 错误

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• 硅二极管的死区电压约为（）。

  A . 0.2 B . 0.3 C . 0.5 D . 0.7

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• 硅管的正向电压为（）V。

  A . 0.5 B . 0.2 C . 0.3 D . 0.4

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• 硅半导体二极管的死区电压约为（）。

  A . A、0.2V B . B、1.2V C . C、0.5V D . D、1.5V

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• 从输入特性曲线上看，硅管的死区电压约为（）.

  A . A．0.1V B . B．0.3V C . C．0.5V D . D．1V

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• 二极管的主要特性是 ，硅二极管的死区电压约 V，锗二极度管的死区电压约 V。

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• 二极管导通后，正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为（ ），锗管的正向压降为（ ）

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• 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。

  A．0．6 B．0．7 C．0．8 D．1．0

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• 通常硅管的死区电压约为（）

  A．0.1V B．0.2V C．0.5V

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• 硅管（）的开启电压是 伏 ,锗管的 正向导通压降是 伏

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• 3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。

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• 二极管主要特性是具有单向导电性，当正向导通时，硅管的电压降约为（）

  A．0.3V B．0.5V C．0.7V

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