突触后抑制的产生机制是（）
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抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。
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突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）。
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MG的发病机制可能为体内产生（），经由补体介导的细胞膜溶解作用使AChR大量破坏，导致突触后膜传递障碍而产生肌无力。
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突触前抑制的特征是突触后膜（）
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疼痛的调控机制中，“当粗纤维传导时，兴奋SG细胞，使该细胞释放抑制递质，以突触前或后方式抑制T细胞的传导，形成闸门关闭效应，从而达到镇痛”属于（）
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突触前抑制的产生是由于（）
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产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是（）
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关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）
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可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）
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突触前抑制的特征是突触后膜()
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关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是()
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抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
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疼痛的调控机制中，“γ-氨基丁酸（GABA）神经元通过钙离子通道的调节，使C类神经纤维初级末梢减少递质的释放，产生突触前抑制，使背角痛敏神经元的活性减弱”属于（）
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突触后抑制是超极化抑制，而突触前抑制是去极化抑制。
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抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？
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抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了下列哪种离子的通透性？
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突触后抑制的产生机制是
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突触后抑制的产生是由于突触后膜
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1、苯二氮卓类镇静催眠药与其受体结合后，会引下列起哪种离子通道开放，引起突触后膜超极化，抑制神经元放电，从而产生中枢神经抑制作用？（）
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除哪项以外,均为快抑制性突触后电位产生过程？（）
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通过突触前和突触后机制抑制痛觉传导的递质是（)。A.多巴胺B.乙酰胆碱C.P物质D.谷氨酸E.阿片肽
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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加所致()
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抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种的离子通透性增加所致（）
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下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是（）
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