雪崩光电二极管

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• 下列不属于影响雪崩二极管响应速度的因素是（）

  A . 载流子完成倍增过程所需要的时间 B . 载流子在耗尽层的渡越时间 C . 结电容和负载电阻的RC时间常数 D . 结电容和负载电感的LC时间常数

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• 半导体光检测器主要有两类：PIN光电二极管和雪崩光电二极管（APD） APD管由于其灵敏度比较高一般为__dBm左右,适用于长距离传送

  A . -14 B . -20 C . -28 D . -45

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• 常用的光电检测器有光电二极管（PIN）和雪崩光电二极管（APD）两种。

  A . 正确 B . 错误

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• 基于光生伏特效应的光电器件有光电二极管、光电三极管和光电池。

  A . 正确 B . 错误

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• 雪崩光电二极管特性中的量子效率只与初级光生载流子数目有关，不涉及倍增问题，故量子效率值总是（）。

  A . 大于1 B . 略大于1 C . 等于1 D . 小于1

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• 为了使雪崩光电二极管正常工作，应在其P-N结上加（）。

  A . A.高反向偏压 B . B.低正向偏压 C . C.高正向偏压 D . D.低反向偏压

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• 雪崩光电二极管（APD）具有（）

  A . 内部放大作用 B . 内部衰减作用 C . 内部平衡作用 D . 内部纠错作用

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• 光纤通信中最常见的光电检测器是（）和雪崩光电二极管。

  A . A.光电二极管 B . B.二极管 C . C.APD D . D.主放大器

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• 齐纳二极管和雪崩二极管具有相似的伏安特性，该特性分为三个区，即（）。

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• （）就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏度的检测器。

  A . 发光二极管 B . APD雪崩光电二极管 C . 双基极二极管 D . 混频二极管

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• 采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围（）。

  A . 0.4-0.5μm B . 0.4-1.0μm C . 0.5-1.0μm D . 0.5-1.5μm

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• 在数据避雷器中有两种动作类型防雷器件，一种是（），比如压敏电阻，半导体稳压管等；另一种是导通型器件，比如气体管、固体管、雪崩二极管等。

  A . 钳位型器件 B . 导通型器件 C . 线性器件

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• 采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm

  A . 正确 B . 错误

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• 雪崩光电二极管（APD）利用（）使光电流得到倍增。

  A . 灵敏度效应 B . 温度效应 C . 响应度效应 D . 雪崩效应

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• 为了实现均匀倍增，雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求（）。

  A . 浓度均匀 B . 浓度大 C . 浓度小 D . 浓度适中

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• 雪崩光电二极管不但具有（）转换作用，而且还具有内部放大作用。

  A . 电光 B . 光电 C . 数模 D . 模数

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• 常见的半导体光检测器主要有PI/（）/雪崩光电二级管光检测器两种。

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• 光接收器件主要有发光二极管（LED）和雪崩光电二极管（APD）。

  A . 正确 B . 错误

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• 雪崩击穿二极管（ABD管）反向偏置时，有哪几种工作模式？（）

  A . 待机 B . 钳制 C . 击穿 D . 短路

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• 发光二极管是工作在正向电压下，而光电二极管是在（ ）电压作用下工作的。光照强度越大，则光电二极管的光电流越（ ）。

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• 目前常用的半导体光电检测器有两种，（）光电二极管和（）光电二极管。

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• 画出雪崩光电二极管的各个区的电场分布示意图，并说明各区的作用。

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• 光电三极管大多是两个引脚的，它与光电三极管在外观上几乎一样，那么如何区分光电二极管与光电三极管？

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• 雪崩二极管将直流功率转换为微波功率的效率通常远远低于理论值，其原因有哪些？

  A．渡越角变坏（理想值为pi） B．雪崩区电离饱和 C．高频趋肤效应 D．空间电荷对管内电场分布的影响

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