硅管敷设的曲率半径:应不小硅管的（)倍，硅管端口在人（手)孔的余留长度一般为（)Cm。

相似题目

• 硅管的死区电压为05V，锗管的死区电压为（）

  A . A、05V B . B、07V C . C、04V D . D、02V

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• 硅管的死区电压约为（）。

  A . 0.8V B . 0.9V C . 0.7V D . 0.6V

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• 二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。

  A . 0.1；0.2 B . 0.2；0.3 C . 0.5；0.1 D . 0.5；0.4

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• 电流负反馈偏置电路常用于硅管的放大电路。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 三极管中，硅管的结构主要是（）。

  A . 平面型 B . 合金型 C . 控制型 D . 整流型

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• 高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为（）。

  A . 20°~40° B . 40°~60° C . 60°~80&deg

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• 硅管的正向导通电压约为0．7V．

  A . 正确 B . 错误

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• 硅管的导通电压约为0．3V。

  A . 正确 B . 错误

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• 硅管的正向电压为0．2V。

  A . 正确 B . 错误

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• 直埋（硅管）光缆敷设在（）的斜坡上，宜采用“S”形敷设。

  A . 坡长大于20m B . 坡长大于30m C . 坡度大于20° D . 坡度小于20&deg

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• 敷设后硅管的弯曲半径应不小于硅管外径的（）倍，一般应大于1m。

  A . 5 B . 15 C . 25 D . 35

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• 硅管与锗管的死区电压分别为（）。

  A . A、0.7，0.3 B . B、0.3，0.7 C . C、0.5，0.2 D . D、0.2，0.5

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• 锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。

  A . 正确 B . 错误

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• 高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为40° ~ 60°。

  A . 正确 B . 错误

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• 硅管的正向电压为（）V。

  A . 0.5 B . 0.2 C . 0.3 D . 0.4

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• 一般小功率硅管的管压降可为（）V

  A . 0.6 B . 0.7 C . 0.8 D . 1.0

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• 硅管的导通电压为（）

  A . 为0.3V B . 为0.7V C . 约为0.7V D . 约为0.3V

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• 硅管的正向压降为0.7V。

  A . 正确 B . 错误

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• 从输入特性曲线上看，硅管的死区电压约为（）.

  A . A．0.1V B . B．0.3V C . C．0.5V D . D．1V

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• 二极管导通后，正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为（ ），锗管的正向压降为（ ）

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• 通常硅管的死区电压约为（）

  A．0.1V B．0.2V C．0.5V

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• 硅管（）的开启电压是 伏 ,锗管的 正向导通压降是 伏

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