对如图12-2所示平行平板电场（电势差100V,磁场的磁感应强度为0.01T)中运动且能够保持速度方向

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• 如图10-73所示，给平行板电容器加电压V0，其极板上所受的电场力为（）。https://assets.asklib.com/psource/2015110114093071237.jpg

  A . ['https://assets.asklib.com/psource/2015110114094533735.jpg B . εS／D.V0C . d／εS）V0D .https://assets.asklib.com/psource/201511011409584859.jpg

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• 通电矩形导体线框abcd与无限长通电直导线AB在同一竖直平面内，电流方向如图3所示，ab与导线AB平行，关于AB的磁场对线框的作用，下列说法正确的是 （    ）。https://assets.asklib.com/source/96791446883509188.png

  A . 线框有两条边所受的安培力方向相同 B . 线框有两条边所受的安培力大小相同 C . 线框所受安培力的合力向下 D . 线框所受安培力的合力向右

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• 如图10-75所不，两无限大平行带电平板，它们带面密度为σ的异号电荷，两板间填充介电系数为ε的介质。这两个带电平板间的电场强度和两板间的电压U分别为（）。https://assets.asklib.com/psource/2015110114104613555.jpg

  A . σ／3ε，σ／2εd B . σ／ε）eX，σd／ε C . σ／3ε，σ／3εd D . σ／2ε）eX，σd／2ε

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• 如图所示，导体回路处在一均匀磁场中，B＝0.5T，R＝2Ω，ab边长L＝0.5m，可以滑动，α＝60°，现以速度v＝4m/s将ab边向右匀速平行移动，通过R的感应电流为（）A。https://assets.asklib.com/psource/2016071815091973575.jpg

  A . 0 B . 0.43 C . 0.75 D . －0.86

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• 如图10-74所示，真空中有一无限大带电平板，其上电荷密度为σ，在与其相距x的A点处电场强度为（）。https://assets.asklib.com/psource/2015110114102187397.jpg

  A . σ／2ε0）eX B . σ／ε0 C . σ／ε0）x2 D . σ／ε0）eX

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• 两异种点电荷电场中的部分等势面如图所示，已知A点电势高于B点电势。若位于a、b处点电荷的电荷量大小分别为qa和qb，则（）https://assets.asklib.com/psource/2015112615291462511.jpg

  A . a处为正电荷，qa＜qb B . a处为正电荷，qa＞qb C . a处为负电荷，qa＜qb D . a处为负电荷，qa＞qb

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• 如图所示，水由喷嘴水平射出，冲击在固定的光滑平板上，已知喷出速度v=50m/s，喷射流量Q=400L/s，若不计空气及平板对射流的阻力，则射流对平板的冲击力为（）kN。https://assets.asklib.com/psource/2015110108502469195.jpg

  A . 20 B . 40 C . 65 D . 120

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• 如图所示，导体回路处在一均匀磁场中，B=0．5T，R=2Ω，ab边长L=0．5m，可以滑动，a=60°，现以速度v=4m／s将ab边向右匀速平行移动，通过R的感应电流为：（）https://assets.asklib.com/psource/2015102715364368960.jpg

  A . 0.5A B . -1A C . -0.86A D . 0.43A

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• 如图所示，放射性元素镭衰变过程中释放α、β、γ三种射线，分别进入匀强电场和匀强磁场中，下列说法中正确的是（）。https://assets.asklib.com/psource/2016030114443063715.jpg

  A . ①表示γ射线，③表示α射线 B . ②表示β射线，③表示α射线 C . ④表示α射线，⑤表示γ射线 D . ⑤表示β射线，⑥表示α射线

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• 一块大的均匀电介质平板放在一电场强度为 的均匀电场中，电场方向与板的夹角为 ，如图10-3所示。已知板的相对介电常量为 ，求板面的面束缚电荷密度。

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• 两只电容器， 分别把它们充电到 1000 V，然后将它们反接(如图所示)，此时两极板间的电势差为（ ）http://image.zhihuishu.com/zhs/onlineexam/ueditor/201802/8dd9d149e9cd44b988cfa58d33314782.png

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• 如图所示，图中曲线ab为一带电粒子在匀强电场中的运动轨迹．若带电粒子只受电场力用，则下列关于该粒子所带电荷的种类及其在a、b两点的电势能Ea。和Eb的判断，正确的是

  A．负电荷，Ea＞Eb B．负电荷，Ea＜Eb C．正电荷，Ea＞Eb D．正电荷，Ea＜Eb

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• 图中所示是一个平行板电容器，其电容为C，带电量为Q，上极板带正电（极板间电场为匀强电场）。现将一个试探电荷g由两极板问的A点移动到8点，如图所示。A、B两点间的距离为s，连线AB与极板间的夹角为30。。则电场力对试探电荷g所做的功等于（）。

  <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/uploadfile/9663001-9666000/40ddb3c2258dc66deb5161b613ce1e75.png' />

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• 设匀强电场的电场强度E与半径为R的半球面S的轴线平行，如图9－47（a)所示，试计算通过此半球面的电场强度通量.若场强方向与这个半球面的轴线的夹角为30°，如图9－47（b)所示，试计算通过此半球面的电场强度通量.

  <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-04/960130303965218.jpg' />

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• 如图所示，在电场强度为E的匀强电场中有一半径为R的半球面，电场强度的方向与半球面的对称轴平行反向，则穿过该半球面的电通量为( )。

  <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/uploadfile/6078001-6081000/5eb2f72010abc23ddced1097ef9891d6.png' /> (A)2πR²E (B)πR<sup style="white-space: normal;">2</sup>E /2 (C)<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/uploadfile/6078001-6081000/11e6d8bc10d2d0d3da0eb2183b21b9b4.png' />(D)πR<sup style="white-space: normal;">2</sup>E/4

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• 平行板电容器两板间电势差是100V，当板上电荷量增加10-8C时，板间某一点电荷所受电场力变为原来的1.5倍，那么

  平行板电容器两板间电势差是100V，当板上电荷量增加10^-8C时，板间某一点电荷所受电场力变为原来的1.5倍，那么这个电容器的电容是多大？

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  下图所示为测平板平行性的等厚干涉实验装置，已知：透镜L₁的焦距为100mm，平板G(图中将其夸大画成楔板状，其内虚线BB&39;表示干涉条纹定域面)的最大厚度为4mm，折射率为1.5，L₂的垂轴放大率为0.5，光源采用氦灯(λ=590nm)。求： <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-03-06/952361464660702.png' /> <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-03-06/952361475856131.png' />

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• 设电势沿0x轴的变化曲线如图所示。试对所示各区间（忽略区间端点的情况)确定电场强度的x分量,并

  设电势沿0x轴的变化曲线如图所示。试对所示各区间(忽略区间端点的情况)确定电场强度的x分量,并作出ER对x的关系图线。 <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-07-09/963141711049976.png' />

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• 如图8.12（a)所示，厚度为b的“无限大”均匀带电平板，其电荷体密度为ρ，求板内外任一点的电场强度。

  如图8.12(a)所示，厚度为b的“无限大”均匀带电平板，其电荷体密度为ρ，求板内外任一点的电场强度。 <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-04-21/956329224429095.png' />

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• 如图所示，Q是带正电的点电荷，P1和P2为其电场中的两点.若E1，E2为P1和P2两点的电场强度的大小，Ф1，Ф2为P1和P2两点的电势，则（）

  A.E1＞E2，φ1＞Φ2 B.E1＞E2，Φ1＜Φ2 C.E1＜E2，Ф1＞Ф2 D.E1＜E2，Ф1＞Ф2 <img src='https://img2.soutiyun.com/shangxueba/ask/2021-11/22/1469/20211122161537912.jpg' />

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• 如图所示，一根长为L的铜棒，位于方向垂直纸面向内的均匀磁场B中，ab按逆时针方向绕0轴匀速转动，角速度为w，求a、b两端的电势差。

  <img src='https://img2.soutiyun.com/shangxueba/ask/50259001-50262000/50261019/963137010554123.png' />

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• 如图所示，匀强磁场中有一矩形通电线圈，它的平面与磁场平行，在磁场作用下，线圈发生转动，其方向是http://static.jiandati.com/c53a15f-chaoxing2016-528661.png

  A、ab 边转入纸内，cd 边转出纸外 B、ab 边转出纸外，cd 边转入纸内 C、ad 边转入纸内，bc 边转出纸外 D、ad 边转出纸外，bc 边转入纸内

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• 2、真空中某静电场区域内的电场线是方向相同的平行直线，则在该区域内场强大小E和电势V [ ]

  A．都是常量 B．都不是常量 C．E是常量，V不是常量 D．E不是常量，V是常量

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• 一导体滑片在再根平行的轨道上滑动,整个装置位于正弦时变磁场之中,如图题2.24所示.滑片的位置

  一导体滑片在再根平行的轨道上滑动,整个装置位于正弦时变磁场<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-08-17/966539700156238.png' />之中,如图题2.24所示.滑片的位置由<img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-08-17/966539734517203.png' />确定,轨道终端接有电阻R=0.2Ω,试求感应电流i. <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-08-17/966539789994376.png' />

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