共模抑制比是用来表征差动放大器性能好坏的一个重要指标。()
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差动输入级是决定集成运算放大器性能最关键的一级,要求本级零点飘移小,共模抑制比高,输入阻抗尽可能低。
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在差动放大电路,下列说法中,不能提高共模抑制比方法是()。
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共模抑制比较小,差动放大电路的性能越好。()
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在差动式放大电路中,共模输入信号等于两个输入端信号的()。
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差动放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。
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衡量差动放大电路性能质量的指标是()。
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()是影响电火花加工精度的一个主要因素,也是衡量电规准参数选择是否合理,电极材料的加工性能好坏的一个重要指标。
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在差动放大电路的输入信号中,差模信号是有用的信号。差动放大器对共模信号具有较强的()作用。
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在差动放大电路的输入信号中,()信号是有用的信号,差动放大器对共模信号具有较强的()作用。
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共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路()。
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6、综合衡量集成运放的放大能力和抗温漂、抗共模干扰的能力的指标是( )。A开环差模电压放大倍数B差模输入电阻C共模抑制比
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差动放大电路双端输出改为单端输出,共模抑制比会( )
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差动放大电路对共模信号的抑制能力,就是抑制零点漂移的能力
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差分放大电路的输入端未加输入信号时,收到附近手机造成的10微伏电磁干扰,该电路的差模放大倍数是-30共模抑制比是80dB,则该差分放大电路的差模输出电压是多少?
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长尾式差动放大电路也是一种典型差动放大电路,Re数值愈大,对共模信号(即零点漂移)的抑制能力就愈强
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KMCR是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路( )能力。A放大差模抑制共模 B 输入电阻高 C输出电阻低
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求图2.4.17所示单端输出差动放大器电路的差模输入电阻Rid共模输入电阻Ric差模电压增益Avd1、共模抑制比CMRR(s)和输出信号电压vo的值。已知晶体管的β=100,rπ=1.2kΩ,vi1=10mV,vi2=25mV,其他参数已标在图中。
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共模抑制比KCMRR定义为差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比,即KCMRR=Ad/Ac显然,共模抑制比越大差动放大电路对差模信号的放大能力越强,对零点漂移的抑制能力越弱。()
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差动放大电路对共模信()。
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【单选题】6、综合衡量集成运放的放大能力和抗温漂、抗共模干扰的能力的指标是()。 A开环差模电压放大倍数 B差模输入电阻 C共模抑制比
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一个差动放大器质量的好坏,是用__来表征的
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共模输入信号是差动放大电路两个输入端信号的()。
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共模抑制比反映了差动放大器对零飘的抑制能力,它等于电路的____放大倍数与共模放大倍数之比值
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80、集成器件本身的共模抑制比CMRRD为放大器开环差动增益A'd与共模增益A'c之比。