多方向打磨金属基底冠金-瓷结合面，易导致（）

相似题目

• 在磨光金属基底冠的过程中，如不慎使冠边缘过薄，技术员用普通瓷粉堆筑，烧烤后金瓷冠最易出现下列哪项问题？（）

  A . A.边缘短 B . B.无法就位 C . C.色泽不佳 D . D.出现气泡 E . E.初戴时崩瓷

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• 患者，男性，38岁，因死髓牙变色要求烤瓷冠修复1。打磨金属基底冠的方向是（）。

  A . A.先顺长轴，后绕牙长轴 B . 先绕牙长轴，后绕恒牙长轴 C . 先由颈端向切端，再由切端向颈部 D . 先由切端向颈部，再由颈部向切端 E . 不管顺序，只需注意顺同一方向打磨即可

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• PFM全冠金-瓷衔接线位置的设计，主要考虑的因素有（）

  A . 避开咬合功能区 B . 保证瓷层有足够的厚度 C . 避免暴露于唇颊侧而影响美观 D . 避免形成锐角、尖嵴造成应力集中 E . 以上全不是

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• 关于PFM冠金瓷结合机制不正确的是（）。

  A . 化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分 B . 金属-瓷材料的热膨胀系数要严格匹配，金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合 C . 基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利 D . 金瓷结合界面间存在分子间力 E . 贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化

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• 倾斜牙做固定桥基牙的最大倾斜度不应超过（）前牙3/4冠切沟顶角的角度（）塑料全冠龈缘肩台的角度（）嵌体洞形洞缘斜面的角度（）瓷全冠龈缘肩台的角度（）金-瓷冠的基底冠金-瓷衔接处的角度（）

  A . 5° B . 30° C . 45° D . 90° E . 135°

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• 某男性患者要求做烤瓷修复，在为其制作金属基底冠时，打磨金属基底冠的方向应该是（）

  A . 先由颈端向切端，再由切端向颈部 B . 先由切端向颈部，再由颈部向切端 C . 先顺长轴，后绕牙长轴 D . 先绕牙长轴，后绕恒牙长轴 E . 不管顺序，只需注意顺同一方向打磨即可

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• 金属基底桥架制作时，瓷层覆盖的金属基底表面应该保留多少间隙，以保证固位体与桥体表面的瓷层厚度（）。

  A . 1.5～2.0mm B . 1.0～1.5mm C . 0.8～1.2mm D . 0.5～0.8mm E . 0.1～0.3mm

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• 关于PFM冠金瓷结合机制不正确的是（）

  A . 化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分 B . 金属－瓷材料的热膨胀系数要严格匹配，金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合 C . 基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利 D . 金瓷结合界面间存在分子间力 E . 贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化

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• 某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面粗化及预氧化处理后，不慎用手触摸金属表面，使表面污染，最易导致金瓷修复体（）

  A . A.瓷结合不良 B . B.不透明瓷层出现裂纹 C . C.出现瓷气泡 D . D.金属氧化膜过厚 E . E.PFM冠变色

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• 金瓷冠的金属基底冠有瓷覆盖部位的厚度一般为（）

  A . A.0.5mm B . B.0.6mm C . C.0.7mm D . D.0.8mm E . E.1mm

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• 做金属烤瓷冠基底蜡型时，金瓷连接处位于（）。

  A . A.对颌牙接触的功能区 B . B.对颌牙接触区 C . C.避开与对颌牙接触的功能区及中心区 D . D.对颌牙接触的舌面颈部 E . E.对颌牙接触的切嵴处

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• 关于PFM冠金瓷结合机制，不正确的是（）

  A . 化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分 B . 金属一瓷材料的热膨胀系数要严格匹配，金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合 C . 基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利 D . 金瓷结合界面间存在分子间力 E . 贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化

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• PFM全冠金-瓷衔接处的外形，主要考虑（）

  A . 保证瓷层有足够厚度 B . 避免形成锐角引起应力集中 C . 利于金属肩台承受瓷层传导牙合力 D . 避开直接暴露于唇颊面以免影响美观 E . 避开直接承受咬合力

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• 患者，男性，38岁，因死髓牙变色要求烤瓷冠修复 https://assets.asklib.com/psource/2016080409035681164.gif 。 打磨金属基底冠的方向是（）

  A . A.先顺长轴，后绕牙长轴 B . 先绕牙长轴，后绕恒牙长轴 C . 先由颈端向切端，再由切端向颈部 D . 先由切端向颈部，再由颈部向切端 E . 不管顺序，只需注意顺同一方向打磨即可

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• 金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是（）。

  A . A.用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物 B . 用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物 C . 打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形 D . 禁止使用橡皮轮磨光 E . 用50～100μm的氧化铝喷砂

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• 磨除贵金属基底的金属与瓷结合面氧化物，常用（）

  A . 碳化硅 B . 钨钢钻 C . 橡皮轮 D . 金钢砂针 E . 金钢石钻针

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• 金属基底桥架制作时，瓷层覆盖的金属基底表面应该保留多少间隙，以保证固位体与桥体表面的瓷层厚度()

  A . A．1.5～2.0mm B . B．1.0～1.5mm C . C．0.8～1.2mm D . D．0.5～0.8mm E . E．0.1～0.3mm

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• 制作金属烤瓷基底蜡型时，在金瓷交界处应做成（）。

  A . 凸面 B . 凹面 C . 锐面 D . 直角 E . 斜面

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• 金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是（）。

  A . 便于操作 B . 防止磨料成分污染金属表面 C . 形成较规则的表面，防止瓷层烧结时产生气泡 D . 利于形成氧化膜 E . 防止金属表面变色

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• 金属基底桥架制作时，瓷层覆盖的金属基底表面应该保留（)的间隙，以保证固位体与桥体表面的瓷层厚度。

  A．0.1～0.3mm B．0.5～0.8mm C．0.8～1.2mm D．1.0～1.5mm E．1.5～2.0mm

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