下列关于半导体的描述正确的是（）

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• 下列关于导体表述正确的是()。

  A . 在施工现场专用的中性点直接接地的电力线路中，必须采用TN-C接零保护系统 B . 绝缘子的底座、套管的法兰、保护网(罩)及母线支架等可接近裸露导体应接地(PE)或接零(PEN)可靠。不应作为接地(PR)或接零(PEN)的接续导体 C . 当保护导体采用一般铜导线时，有机械保护时，其截面不应小于2.5m㎡;无机械保护时不应小于5m㎡ D . 金属电缆支架、电缆导管必须接地(PE)或接零(PEN)可靠

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• 下列关于半导体存储器说法中正确的是（）。

  A . 半导体存储器可分为静态存储器和动态存储器两种类型 B . 半导体存储器都是挥发性的，即只要关机（切断电源），所存储的信息就会全部丢失 C . 静态存储器，即使不断电，存储单元所存储的信息也会慢慢丢失 D . 动态存储器需要不断刷新

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• 关于铝线芯导体只能配铝接头而不能配铜接头的原因，下列正确的是（）。

  A . 由于铜和铝这两种金属标准电极电位相差较大。 B . 当有电介质存在时，将形成以铜为正极，铝为负极的原电池，使铝产生电化腐蚀，从而使接触电阻增大。 C . 由于铜铝的弹性模数和热膨胀系数相差很大，在运行中经多次冷热（通电与断电）循环后，会使接点产生较大间隙，影响接触而产生恶性循环。 D . 当有电介质存在时，将形成以铜为负极，铝为正极的原电池，使铜产生电化腐蚀，从而使接触电阻增大。

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• 下列关于曲线锚点的描述正确的是：下列有关图案单元描述正确的是：（）

  A . 曲线锚点通常有两个方向线 B . 曲线锚点的两个方向线不一定是相反方向 C . 曲线锚点的两个方向线一定是相反方向 D . 曲线锚点的两个方向线可以成90度

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• 关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。

  A . A．只存在一种载流子：自由电子 B . B．在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极 C . C．在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体 D . D．在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

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• 裸导体的选择描述，正确的是（）。

  A . 导体截面可按长期发热允许电流或经济电流密度选择 B . 材料：铜ρ小，强度大，抗腐蚀性强，但价格较贵。铝ρ=1.7--2ρ铜，密度小，价廉，广泛采用 C . 矩形截面：散热条件好，但集肤效应大。槽形截面：机械强度好，载流量大，集肤效应小，但施工工艺复杂。管形截面：机械强度高，集肤效应小，电晕放电电压高 D . 导体的散热和机械强度与导体的布置方式有关。矩形导体有竖放（散热较好，载流量大，但机械强度较低）和横放（则与前者相反）两种形式

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• 关于导体电阻大小的下列说法中，正确的是（）

  A . 细铜线比粗铜线的电阻大 B . 粗细相同的导线，长的比短的电阻大 C . 铁导线比铜导线的电阻大 D . 长短相同的两根铝导线，粗的比细的电阻小

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• 在负电子传输过程中，关于导体（/载体）载面上电子密度描述正确的是（）

  A . 载面上电子密度均等 B . 载面上电子密度为电压差的随机函数 C . 载面上电子密度相对外表面最大 D . 载面上电子密度相对中心点最大

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• 下面是关于CMOS（ComplemeMAry MetAl-OxiDe SemiConDuCtor一互联型金属氧化物半导体器件）的描述，正确的有（）

  A . CMOS是一个小型的RAM，功耗低，在外界电源切断时，由主板上的电池供电 B . CMOS中保存系统正常运行所需的参数，如果它们有误，计算机不能正常工作 C . CMOS中的数据用户不能重新设置 D . CMOS中的数据可以重新设置，但需要使用系统提供的专用程序SETUP

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• 下列哪组关于导体电阻从小到大的排列正确的是（）

  A . 银，铜，金，铝 B . 金，银，铜，铝 C . 铜，金，铝，银 D . 铝，金，铜，银

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• 关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）

  A . 无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴 B . P型半导体中只有空穴导电 C . N型半导体中只有自由电子参与导电 D . 在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

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• 关于两种半导体带电的说法，正确的是（）。

  A . A、P型半导体主要靠空穴导电，所以定是带正电 B . B、N型半导体主要靠电子导电，所以定是带负电 C . C、P型半导体和N型半导体对外都不导电

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• 关于半导体二极管说法正确的是：（）。

  A . A、加正向电压时外电场与势垒电场方向一致 B . B、加正向电压时外电场与势垒电场方向一致 C . C、加反向电压时耗尽层变薄 D . D、加反向电压时耗尽层变厚

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• 关于半导体测温元件说法正确的是（）。

  A . 半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升 B . P型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中 C . 不能制作成接触型 D . 半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高

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• 以下对半导体材料特征描述正确的是

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• 关于N型半导体，正确的是（）

  A、在真性半导体中混入价电子为3个的砷和磷等不純物、使其共合后的的产物 B、在真性半导体中混入价电子为5个的砷和磷等不純物、使其共合后的的产物 C、在真性半导体中混入价电子为5个的铟和硼等不純物、使其共合后的的产物 D、在真性半导体中混入价电子为3个的铟和硼等不純物、使其共合后的的产物

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• 下列选项有关功率半导体器件的工作特点,不正确的描述是()。

  A．功率半导体器件处于开关状态 B．导通管压降低 C．漏电流很大 D．管子导通时，相当于短路

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• 关于主设备选择的一般原则，下列各项说法正确的是《导体和电器选择设计技术规定》DL/T5222-2005第3条（）

  A．应力求技术先进、安全适用、经济合理，满足正常运行、检修、短路和过电压情况下的要求，并考虑远景发展 ； B．应按当地环境条件校核，与整个工程的建设标准协调一致； C．应根据品种实际需要选用导体及其他设备，以免造成浪费； D．使用新技术、新产品

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• 关于带电导体球中的场强和电势, 下列叙述中正确的是

  A．导体内的场强和电势均为零 B．导体内的场强为零, 电势不为零 C．导体内的电势与导体表面的电势相等 D．导体内的场强大小和电势均是不为零的常数

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• 关于线粒体DNA，描述正确的是下列描述正确的是

  A．线粒体DNA的H链编码12种蛋白质，14种tRNA和2种rRNA ，L链编码1种蛋白质，8种tRNA B．mtDNA分子数目庞大，使mtDNA分析在高度降解或微量检材的检测 中成功率更高 C．线粒体DNA结构紧凑，相邻基因甚至有碱基的重叠 D．1981年，Anderson等公布了人线粒体DNA的序列

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• 关于风险的描述，下列描述正确的是（）

  A．风险是完全可以避免的 B．风险是指某种损失发生的不确定性 C．风险是主观存在的 D．风险绝对没有规律

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• 3、关于带电导体球中的场强和电势, 下列叙述中正确的是

  A．导体内的场强和电势均为零 B．导体内的场强为零, 电势不为零 C．导体内的电势与导体表面的电势相等 D．导体内的场强大小和电势均是不为零的常量

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• 11、关于“半导体和绝缘体能带结构”的描述，正确的是？

  A．半导体：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带； 绝缘体：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带。 B．半导体：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带； 绝缘体：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。 C．半导体：上面是一个半满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带； 绝缘体：上面是一个满带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。 D．半导体：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较宽的禁带； 绝缘体：上面是一个空带，下面是一个满带，中间隔着较窄的禁带。

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• 15、关于杂质半导体电阻率随温度的变化关系描述正确的有（）。

  A．杂质半导体的电阻率随温度升高单调下降 B．低温下，半导体的电阻率随温度的升高而下降，主要因为载流子浓度随温度升高而升高，且杂质电离散射几率随温度升高而下降 C．高温下，当本征激发称为主要矛盾时，其电阻率随温度升高而下降 D．当温度升高到杂质基本电离，且本征激发不显著时，晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素

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