晶体管工作在放大状态的条件是( )。

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• 晶体管工作在放大区的条件是（）。

  A . A．发射结正向偏置，集电结反向偏置 B . B．发射结反向偏置，集电结正向偏置 C . C．发射结正向偏置，集电结正向偏置 D . D．发射结反向偏置，集电结反向偏置

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• 在放大电路中晶体管通常工作在（）状态。

  A . 饱和 B . 截止 C . 放大 D . 耦合

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• 晶体三极管工作在放大状态的条件是发射结加（），集电结加（）。

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• 推挽功率放大电路在正常工作过程中，晶体管工作在（）状态。

  A . A、放大 B . B、饱和 C . C、截止 D . D、放大或截止

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• 工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。

  A . 发射结正偏，集电结反偏 B . 发射结反偏，集电结正偏 C . 发射结、集电结均反偏 D . 发射结、集电结均正偏

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• 晶体三极管工作在放大状态的外部条件是（）。

  A . 发射结正偏、集电结正偏 B . 发射结正偏、集电结反偏 C . 发射结反偏、集电结正偏 D . 发射结反偏、集电结反偏

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• 晶体三极管工作在放大状态时的特点是（）。

  A . 发射结反向偏置，集电结正向偏置 B . 发射结正向偏置，集电结反向偏置 C . 发射结和集电结都处于反向偏置 D . 发射结和集电结都处于正向偏置

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• 晶体三极管在放大状态工作时，三个管脚的电流关系是（）。

  A . Ie=Ib+IcIb=βIc B . Ic=Ib+IeIb=βIc C . Ie=Ib+IcIc=βIb D . Ic=Ib+IeIb=βIc

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• 晶体三极管工作在放大状态时，应满足（）。

  A . 发射结、集电结均正偏 B . 发射结、集电结均反偏 C . 发射结正偏、集电结反偏 D . 发射结反偏、集电结正偏

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• 晶体三极管工作在放大区的条件是（）。

  A . 发射结正偏，集电结反偏 B . 发射结反偏，集电结反偏 C . 发射结正偏，集电结正偏 D . 不确定正反偏

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• 晶体管工作在放大状态时，必须满足外加电压发射结（），集电结（）。

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• 晶体管处于放大状态的内部条件和外部条件是什么？

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• 工作在放大状态的双极型晶体管是（）。

  A . 电流控制元件 B . 电压控制元件 C . 不可控元件

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• 推挽功率放大电路在正常工作过程中，晶体管工作在（）什么状态。

  A . A.放大 B . B.饱和 C . C.截止 D . D.放大和截止

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• 发射极处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。

  A . 正确 B . 错误

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• 晶体管工作在放大状态时，集电极电位最高，发射极电位最低。

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• 晶体三极管工作在放大区的偏置条件是（）。

  A．发射结正偏，集电结正偏 B．发射结反偏，集电结反偏 C．发射结正偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏

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• NPN晶体管处于放大状态的条件是UBB＞UBE（on)，且UCEQ＞UBE（on) 。

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• 晶体管处于放大状态的条件是发射结正偏、集电结反偏

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• 晶体管工作在放大区的条件是（）。（晶体管）

  A．发射结正偏，集电结反偏 B．发射结反偏，集电结正偏 C．发射结、集电结均正偏 D．发射结、集电结均反偏

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• 工作在放大状态的晶体管，集电结和发射结的偏置情况为（）

  A．发射结正偏 B．发射结反偏 C．集电结正偏 D．集电结反偏

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• 晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结反偏且集电结正偏。

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• 1、工作在放大状态的某PNP晶体管，各电极电位关系为（）。

  A．VC＜VB＜VE B．VC＞VB＞VE C．VC＜VE＜VB D．VC＞VE＞VB

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• 2、晶体管在放大状态时，其电压偏置条件为（）。

  A．集电结正向偏置、发射结正向偏置 B．集电结正向偏置、发射结反向偏置 C．集电结反向偏置、发射结反向偏置 D．集电结反向偏置、发射结正向偏置

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