何谓可控硅的控制角和导通角？
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晶闸管的控制角和导通角之和是（）
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在单相桥式半控整流电路中，控制角和导通角之和为（）度。
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磁粉探伤设备采用可控硅调压的方法，是调整可控硅的导通角来控制初级电压达到磁化电流连续可调的目的
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电除尘器自动控制系统的作用是控制主电路中双向可控硅的导通角。
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单相半波可控整流电路的最大导通角为（）。
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在三相半波可控整流电路中，每只晶闸管的最大导通角为（）。
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在三相半波可控整流电路中，每个晶闸管的最大导通角为（）。
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三相桥式半控整流电路中，若使可控硅全导通，控制极应在什么时候加入脉冲？并说明控制角和导通角各为多少？
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晶闸管可控整流电路的共同特点是通过改变控制角来改变导通角Θ，以达到改变（）的目的。
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试述可控硅的控制角和导通角的定义？
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某模糊控制器的语言变量选为实际温度与给定温度之差即误差e、误差变化率△e；以及加热装置中可控硅导通角的变化量u，故该模糊控制器为（）。
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可控硅在正半周中导通的范围称为导通角，导通角与输出电压的关系是（）。
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三相半波整流电路中，可控硅的最大导通角为（）。
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在晶闸管可控硅整流的电路中，导通角越大，则输出电平的平均值就越小。
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KP—2A型控制箱中可控硅的控制角大于导通角。（）
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可控硅整流器导通角越大，输出的直流电压越低。
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什么是晶闸管的控制角和导通角？通常用什么来表示？
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某模糊控制器的语言变量选为实际温度与给定温度之差即误差e、误差变化率△e；以及加热装置中可控硅导通角的变化量u，故该模糊控制器为（ ）
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单结晶体管脉冲触发电路中，调节电位器RP可以改变电容C充电的快慢，即改变触发角，RP变大或C值越大则控制角也越大，可控硅的导通角也越大。（)
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在单相桥式半控整流电路中,控制角和导通角的和为()度。
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在单相半波大电感负载可控整流电路中，如控制角很小，则控制角与导通角之和接近于180度，此时输出电压平均值近似为零。（)
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相控整流器的功率因数随晶闸管和导通角的变化而变化，一般在全导通时，可接近（），而小负载时，仅为0.3左右
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三相半波可控整流电路电阻负载的控制导通角O的变化范围是（）
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三相零式可控整流电路，在电阻性负载时，当控制角α≤30°，每个晶闸管的导通角θ=（）
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