离子线

相似题目

• 电晕线周围的电场强度很大，使空气电离，产生大量（）和正、负离子。

  A . 中子 B . 电子 C . 离子 D . 原子核

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• 离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（），离子配位数（）。

  A . 增大，降低 B . 减小，降低 C . 减小，增大 D . 增大，增大

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• GCL样品裁剪时，画好样品轮廓后，用去离子水喷到刻画好的线附近，让膨润土水化2~5min，再进行剪裁。

  A . 正确 B . 错误

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• 某台原子吸收分光光度计，其线色散率为每纳米1.0mm，用它测定某种金属离子，已知该离子的灵敏线为403.3nm，附近还有一条403.5nm的谱线，为了不干扰该金属离子的测定，仪器的狭缝宽度达（）。

  A . <0.5mm B . <0.2mm C . <1mm D . <5mm

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• 当主管线为不锈钢管，伴热管为碳素钢管时，隔离垫氯离子含量不应超过（）。

  A . 40μg/g B . 50μg/g C . 60μg/g D . 55μg/g

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• ICP焰炬的一具有适宜的激发温度，能使试样在此既较充分的原子化、激发、发射离子线和原子线，背景发射光谱强度又较低，一般情况下多用此区进行光谱分析。（）

  A . A．预热区 B . B．初始辐射区 C . C．测光区（内焰区）

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• 下列天然水中存在的离子杂质，属于阳离子的有（），属于阴离子的有（）：①钙离子；②镁离子；③碳酸氢根；④硫酸根；⑤氯离子；⑥硅酸氢根；⑦钠离子；⑧钾离子。

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• 阳离子交换剂中可交换离子为阳离子，阴离子交换剂中可交换离子为阴离子。因此，离子交换仅仅是离子交换剂与水中电解质的同性电荷离子之间的交换反应。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 在光谱定性分析时，只能使用原子线，不应使用离子线，这种说法是（）的。

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• 位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 阳离子交换剂中可交换离子为阳离子，阴离子交换剂中可交换离子为阴离子。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 阳离子交换剂中可交换离子为阴离子，阴离子交换剂中可交换离子为阳离子。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 生产装置塔顶挥发线的工艺防腐通常采用注水、注缓蚀剂、注中和剂等措施，塔顶冷凝水铁离子含量应不高于（）mg/l。

  A . 1 B . 2 C . 3 D . 4

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• 阳离子交换剂中可交换离子为（）离子，阴离子交换剂中可交换离子为（）离子。因此，离子交换仅仅是离子交换剂与水中电解质的（）性电荷离子之间的交换反应。

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• 离子类型：（）离子，（）离子，（）离子。

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• IP经X线照射后形成潜影，其中的铕离子的变化是（）

  A . 1＋→2＋ B . 2＋→1＋ C . 2＋→3＋ D . 3＋→2＋ E . 2＋→4＋

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• 根据各种元素离子的最外电子层结构不同，可将离子分为（）型离子、（）型离子和（）型离子。

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• 用原子吸收光谱法测定样品中的金属离子一般选用待测元素的什么线作为分析线?

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• 下列各组离子能大量共存,且加入氢氧化钠溶液后有沉淀析出,若加入盐酸有气体生成的是? A.硫酸根离子,铵根离子,钾离子,氢氧根离子 B.钙离子,钾离子,硝酸根离子,磷酸一氢根离子 C.碳酸氢根离子,钡离子,钠离子,磷酸二氢根离子, D.二价铁离子,氯离子,钠离子,硝酸根离子,

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• 一般情况下，低矿化水中常以 重碳酸离子、钙离子 及 镁离子 为主；高矿化水则以 氯离子及 钠离子 为主。

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• 检验Cl离子,溴离子,碘离子,可用（ ）试剂,分别产生（ ）,（ ）,（ ）现象. 检验Cl离子,溴离子,碘离子,可用（ ）试剂,分别产生（ ）,（ ）,（ ）现象.还可以用（ ）和（ ）试剂来检验.

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• He+离子光谱毕克林系和氢原子巴耳末系光谱，下列表述哪些是正确的？ A 两个线系光谱线都是随着波数增加由疏到密； B 两个线系光谱线都是随着波数增加由密到疏； C两个线系的有些谱线近似重合，但是有一些差别，是因为核电荷数修正引起的 D 两个线系的有些谱线近乎重合，但是有一些差别，是因为核质量修正引起的 E He离子光谱线比氢原子光谱线多，是因为核电荷数修正引起的 F He离子光谱线比氢原子光谱线少，是因为核电荷数修正引起的

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• BBA009-5. 某台原子吸收分光光度计，其线色散率为每纳米 1.0 mm，用它测定某种金属离子，已知该离子的灵敏线为 403.3nm，附近还有一条 403.5nm 的谱线，为了不干扰该金属离子的测定，仪器的狭缝宽度达（）

  A．＜ 0.5mm B．＜ 0.2mm C．＜ 1mm D．＜ 5mm

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• 某开发区拟建设一集成电路项目，项目规模为建设8英寸0.35～0.18m芯片（月投产4000片）；12英寸（3.048cm）先进制程线，0.13～0.09m芯片工艺为主。芯片生产工序主要有外购硅片清洗、氧化、光刻、蚀刻、扩散、离子植入、化学气相沉积、金属化、后加工等。 根据上述资料，回答下列问题。1.简述该项目建设与相关产业政策的符合性分析。2.确定该项目大气预测因子和水评价因子。3.确定该项目的固

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