有一个用硅NPN外延平面型高频功率管3DA1做成的谐振功率放大器,已知EC=24V,P0=2W,工作频率为1MHz,Uces=1.5V,Pcmax=1W,Icm==750mA。求Ucm,Rcm,Ic1m,Ic0? (α1(70°)=0.436,α0(70°)=0.253)
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对高频功率放大器进行调谐时,应在过压区工作状态进行,以保护功放管。
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高频大功率三极管(NPN型硅材料)管用()表示。
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目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和()等等。
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某复合三极管的输入管类型为PNP型,电流放大倍数是β1;输出管类型为NPN型,电流放大倍数是β2;则复合三极管的类型为()型、电流放大倍数β=()。
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DDZ-Ⅱ型差压变送器高频振荡器的作用是向()提供高频电流,将平面检测线圈()量的变化转换成相应的电压输出。
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NPN型三极管Ub=3.7VUc=3V、Ue=3V该管处于()状态。
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PRS700电源系统高频DC/DC电路采用()电路,开关管的工作频率为(),本机功率因数为()。
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测得某个NPN型晶体管E、B、C三个电极电位分别为0.4V、0.2V和1.5V可判断该管处于()工作状态。
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硅NPN型高频小功率极管3DG4D,其中G代表()。
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硅NPN型高频小功率三极管3DG4D,其中从左向右第一位D代表()。
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用3DA4高频功率管装成放大器,测得fT=1MHz,β=20,额定输出功率Po=20W,晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导,要做成2MHz的谐振功率放大器,选定E<sub>c</sub>=24V,θ=70°,Icmax=2.2A,α0(70°)=0.253,α1(70°)=0.436,并工作在临界状态。试计算IC0,Ic1m和Rc。
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型号为3DG21的半导体三极管,是硅材料的NPN型高频小功率管。
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用3DA4高频功率管装成放大器,测得fT=1MHz,β=20,额定输出功率Po=20W,晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导,要做成2MHz的谐振功率放大器,选定Ec=24V,θ=70°,Icmax=2.2A,α0(70°)=0.253,α1(70°)=0.436,并工作在临界状态。试计算P0,Ps,PC和ηc。
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目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。
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3DJI表示NPN型硅材料金属高频三极管。()
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对某电路中一个NPN型硅管进行测试,测得UBE<0,UBC<0,UCE>0,则此时该管工作区为:
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对于某电路中的一个 NPN 型硅管进行测试,测得 , , 则此管工作在 ( )
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对于某电路中的一个 NPN 型硅管进行测试,测得 , , 则此管工作在 ( )
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npn管子高频情况下,以下关系正确的是
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对某电路中一个NPN型硅管测试,测得UBE<0,ubc<0,uce>0,则此管工作在()。
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下列属于G蛋白偶联型受体的是文的谐数早保号的229-0A0.1千风不限不吃()
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试画出具有下列特点的共基极谐振功率放大器实用电路:(1)选用NPN型高频功率管并且基极与机壳相
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2CK表示是();2CZ表示是();2DW表示是();3AX表示是()材料,()型低频小功率管;3DG表示是()材料,()型高频小功率管。
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对某电路中一个NPN型硅管测试,测得UBE>0,UBC<0,UCE>0,则此管工作在()。
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