对DRAM芯片的刷新是按（ ）进行的。
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存储系统的刷新地址提供给所有DRAM芯片。
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DRAM需要定期刷新，因此，在微型计算机中不如SRAM应用广泛。
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某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目分别为（）。
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存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。
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采用与上题相同容量的DRAM芯片，则该芯片的地址线条数为（）。
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由4M×1位DRAM存储芯片构成8M×8位高集成度的内存条，所需该存储芯片的片数为（）
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用1M×4的DRAM芯片通过（）扩展可以获得4M×8的存储器。
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某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为（）。
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DRAM存储器芯片只要不关电源，信息就不会丢失。
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64K*1位的DRAM芯片通常有（）地址线引脚。
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微机大容量主存一般采用DRAM芯片组成。
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半导体存储器芯片可以分为DRAM和SRAM两种，PC机中内存条一般由其中的 芯片组成。
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DRAM芯片使用时_所有的存储单元在内一定要刷新一次。;（）
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一DRAM芯片内部阵列2048行*1024列_其刷新周期为16ms_读写周期为0.5us_采用分散刷新方式_则芯片刷新一遍需时间。;（）
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假定一台计算机的显示存储器用DRAM芯片实现，若要求显示分辨率为1600*1200，颜色深度为24位，帧频为85Hz，显示总带宽的50% 用来刷新屏幕，则需要的显存总带宽至少约为（）
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DRAM为什么要定期刷新？刷新方式有哪几种
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判断：对DRAM单元的读出是破坏性的_所以DRAM的存储元只在读出后需刷新。;（）
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某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线数目为_______。
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一DRAM芯片内部阵列2k行*1k列_其刷新周期为16ms_采用分散刷新方式_则两行之间刷新间隔时间为。;（）
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某DRAM芯片，其存储容量为512Kx8位，该芯片的地址线和数据线数目分别为（）
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12、DRAM的刷新方式，是以____为单位进行的。
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试述DRAM刷新过程和正常读／写过程的区别。
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有一个16K×16位的存储器，由1K×4位的DRAM芯片构成（芯片是64×64结构)。问：（1)共需要多少RAM芯片？（2)采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少（3)如采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少读／写周期？死时间率是多少？
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与DRAM芯片相比，SRAM芯片的特点是______。
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