高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结()。
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高频调谐功率放大器中,晶体管的内部特性指的是()时,晶体管的输出特性和转移特性。
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为了使晶体管在放大器中正常工作,需要发射结外加()电压,集电结外加()电压。
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高频调谐功率放大器无发射结偏置时,锗管的导通角为60° ~ 80°。
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高频调谐功率放大器中,当频率升高时,晶体管的uces的变大。
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高频调谐功率放大器在静态时,晶体管处于()区。
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NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同,这个箭头是代表发射结在正向连接时的()方向。
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电视机调谐器中高频放大器常用()电路。
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高频调谐功率放大器在静态时,晶体管处于线性放大区。
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高频调谐功率放大器无发射结偏置时,硅管的导通角为()。
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对于NPN型晶体管共发射极电路,当增大发射结偏置电压Ube时,其输入电阻也随之增大。
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高频调谐功率放大器无发射结偏置时,锗管的导通角为()。
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在晶体三极管放大电路中,晶体三极管的发射结上加上正向电压,集电结加反向电压。
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1.5KWSSB和400WSSB发射机A1A工作状态全功率输出、半功率调谐时,高频天调ATU-HF面板上输出功率表应()。
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在晶体管放大电路中,发射结加的反向电压,集电极加的是正向电压。
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高频天线调谐器主要作用是使功率放大电路和天线之间达到最佳的匹配。
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高频调谐功率放大器电路中电源Ub的作用为()。
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高频调谐功率放大器无发射结偏置时,硅管的导通角为40° ~ 60°。
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在高频调谐功率放大器调试过程中,为保证晶体管能安全工作,往往将输出功率减小一半,试问在保持电源电压不变的情况下,采用()输入信号的方法,将减小输出。
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小信号调谐放大器由高频放大电路和()组成。
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高频调谐功率放大器中,Ubm变化,被称为调谐功放的()特性。
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高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结正向偏置。
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高频调谐功率放大器中,晶体管的外部特性指的是有载时,晶体管的输出特性和转移特性。
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由于晶体管存在寄生电容Cb'c在高频时形成内反馈,从而影响到调谐放大器工作的稳定性。()
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