通常的工业硅(99.0-99.9%)具有半导体性能。()
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中国科学院物理所半导体研究室在()领导下开展硅材料的研究,于1958年获得中国第一根硅单晶,为中国在1960年正式全面开展半导体硅器件的研制创造了先决条件。
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半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、()、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。
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半导体硅常用的受主杂质是()。
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硅二极管具有()导电性能。
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杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。
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通常把()和()作为衡量半导体储存器性能的重要指标。
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半导体材料具有以下特性()。 (1)在常温下具有明显的导电性能(2)当温度升高时,电阻将降低(3)不同部位的导电性能极不均匀
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由汽车用硅整流发电机的输出特性可知,它具有()充电性能好的优点。
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半导体二极管具有()的性能。
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在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在()以上。
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具有良好导电性能的物体称为半导体。
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高硅铸铁管具有很高的耐腐蚀性能。
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具有良好导电性能的物体称为导体。
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交联电缆导体使用的导体材料,首先必须具有良好的导电性能。
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硅半导体二极管的死区电压约为()。
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工业产品质量特性通常包括性能、寿命、可靠性、安全性、经济性等。
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晶闸管是具有3个PN结、()极的硅半导体器件。
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在纯净的半导体硅中加入少量的三价元素,形成()。
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半导体是依赖于缺陷进行工作的材料,它的性能在很大程度上取决于材料的纯度。用于光伏发电的硅材料对纯度一般要达到
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晶闸管是具有()个PN结、()极、()极和()极的硅半导体器件。
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一、单项选择(每题4分) 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体,以下说法错误的是()。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体,而小于导体 D. 一般来讲,材料的禁带宽度越大,导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级,则该半导体具体为()。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时,它的耗尽层宽度 ,势垒高度 ()。 A. 变宽,变小 B. 变窄,变大 C. 变窄,变小 D. 变宽,变大 4、 对于单边突变硅n+/p结,耗尽区主要分布在() A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结,下列说法错误的是() A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子,非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是()。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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半导体硅的光谱响应范围是()
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1、与第一代半导体材料硅锗相比,第二代半导体材料砷化镓具有的优势在于:________________________。
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5、硅橡胶硅氧链呈螺旋形构型,分子链的柔韧性较C-C键或Si-C键大,具有优异的物理机械性能。
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