在同样的反向电压下，二极管的反向电流越小越好。
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二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
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在晶体二极管的两端加反向电压时，反向电阻很大，反向电流很小，基本处于（）状。
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在晶体二极管的反向截止区、反向电流随反向电压的增大而迅速增大。（）
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温度越高，二极管的反向饱和电流（）。
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在二极管加反向电压时，会形成（）的反向电流，且反向电压不超过某一范围时，反向电流大小（）。
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当二极管外加反向电压在反向击穿电压以内范围变动时，反向电流（）。
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二极管的最大反向电流愈小愈好，反向电流过大，说明管子的单向导电性能好。（）
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当二极管外加反向电压超过一定数值后，反向电流突然（），此称为二极管反向击穿，这时所对应的电压称为反向击穿电压。
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三极管的反向饱和电流受（）影响较大．是造成三极管不稳定的主要因素．越小越好。
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当加在二极管两端的反向电压大于某一值后，反向电流突然急剧增大，此时称二极管被反向击穿。
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在二极管上加的反向电压达到一定数值时，反向电流急剧增大，这一现象称为（）。
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在晶体二极管的两端加反向电压时，反向电阻很大，反向电流很小，基本处于（）状态。
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在二极管上加反向电压，当外加反向电压过高时，反向电流将突然增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为（）。
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在同样的反相电压下，二极管的反相电流越小越好。（
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在二极管上加反向电压时，在一定范围内，反向电流基本（），与反向电压的大小无关，通常称为反向饱和电流。
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硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。
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由于晶体二极管是单向导通的元件，因此正向电阻值与反向电阻值相差越小越好。
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二极管的反向电流IR是管子未（）时反向电流的数值，反向电流越（），管子的单向导电性能越（）。
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3、在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而（）。
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因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时，在一定的反向电流范围内，管子两端的电压近似为恒定值，所以可将稳压二极管串联接在负载两端来稳定负载电压。()
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因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时，在一定的反向电流范围内，管子两端的电压近似为恒定值，所以可将稳压二极管并联接在负载两端来稳定负载电压。()
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测量二极管的反向饱和电流时，反向电压增加时，()。
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当加到二极管上的反向电压增大到一定的数值时，反向电流会突然增大，该反向电压值被称为反向击穿电压，此现象被叫做反向击穿现象（）
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当反向电压小于反向击穿电压时，二极管2的反向电流很小，当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。（)
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