关于导体与导体、导体与电器的连接，下面说法正确的是（）。

相似题目

• 关于导体稳定温升说法正确的是（）。

  A . 与电流的平方成正比，与导体材料的电阻成反比 B . 与电流的平方成正比，与导体材料的电阻成正比 C . 与电流的平方成反比，与导体材料的电阻成反比 D . 与电流的平方成反比，与导体材料的电阻成正比

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• 下列关于半导体存储器说法中正确的是（）。

  A . 半导体存储器可分为静态存储器和动态存储器两种类型 B . 半导体存储器都是挥发性的，即只要关机（切断电源），所存储的信息就会全部丢失 C . 静态存储器，即使不断电，存储单元所存储的信息也会慢慢丢失 D . 动态存储器需要不断刷新

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• 通电矩形导体线框abcd与无限长通电直导线AB在同一竖直平面内，电流方向如图3所示，ab与导线AB平行，关于AB的磁场对线框的作用，下列说法正确的是 （    ）。https://assets.asklib.com/source/96791446883509188.png

  A . 线框有两条边所受的安培力方向相同 B . 线框有两条边所受的安培力大小相同 C . 线框所受安培力的合力向下 D . 线框所受安培力的合力向右

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• 关于导体电阻的正确说法是，因为电阻R=U/I，所以导体的电阻与外加电压成正比。与流过的电流成反比。

  A . 正确 B . 错误

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• 关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。

  A . A．只存在一种载流子：自由电子 B . B．在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极 C . C．在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体 D . D．在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成

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• 下面有关导体发热说法正确的是（）

  A . 导体的长期发热是导体长期通过工作电流时的发热过程 B . 导体的短时发热是指短路开始至短路切除为止，很短一段时间内导体发热的过程 C . 导体的短时发热是导体短期通过工作电流时的发热过程 D . 导体的长期发热是指短路开始至短路切除为止，很长一段时间内导体发热的过程

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• 电缆连接屏蔽层与本相芯线裸露导体间爬电距离正确的是（）。

  A . A、127V爬电距离15～20mm B . B、660V爬电距离37.5～50mm C . C、1140V爬电距离67.5～90mm D . D、6000V爬电距离230～300mm

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• 关于导体电阻大小的下列说法中，正确的是（）

  A . 细铜线比粗铜线的电阻大 B . 粗细相同的导线，长的比短的电阻大 C . 铁导线比铜导线的电阻大 D . 长短相同的两根铝导线，粗的比细的电阻小

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• 关于导体下面说法不正确的是（）。

  A . A、容易让电流通过的物体 B . B、比如钢、铁都是导体 C . C、电阻率小于十的负八次方欧姆平方毫米每米 D . D、电阻为零

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• 电缆铜导体与铝导体连接，应选用（）线类。

  A . 铜铝过渡设备线夹 B . 压接式铜铝过渡设备线夹 C . 螺栓式铜铝过渡设备线夹 D . 三种都可以

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• 在屋内装置中，不允许将铝导体用螺栓直接与电器的铜端头连接。

  A . 正确 B . 错误

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• 以下有关导体电阻与温度关系说法正确的有（）。

  A . A.当温度升高时，电解液和碳素物质的电阻增大 B . B.当温度升高时，金属导体的电阻减小 C . C.当温度升高时，电解液和碳素物质的电阻减小 D . D.当温度变化时，如康铜等某些合金的电阻几乎不变化

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• 关于两种半导体带电的说法，正确的是（）。

  A . A、P型半导体主要靠空穴导电，所以定是带正电 B . B、N型半导体主要靠电子导电，所以定是带负电 C . C、P型半导体和N型半导体对外都不导电

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• 关于半导体二极管说法正确的是：（）。

  A . A、加正向电压时外电场与势垒电场方向一致 B . B、加正向电压时外电场与势垒电场方向一致 C . C、加反向电压时耗尽层变薄 D . D、加反向电压时耗尽层变厚

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• 导体与导体在连接处总存在一定的电阻值，该电阻称为（）

  A . 绝缘电阻 B . 接触电阻 C . 直流电阻 D . 接地电阻

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• 以下关于直导体感应电动势的说法中，正确的是（）。

  A . A．相对运动导体单位时间内切割的磁力线数 B . B．式中的v可以向任何方向切割 C . C．B不一定是均匀磁场 D . D．伸出磁场之外的导体也计入l

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• 关于导体下面说法错误的是（）。

  A . A、容易让电流通过的物体 B . B、比如钢、铁都是导体 C . C、电阻率小于十的负八次方欧姆平方毫米每米 D . D、电阻为零

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• 下面关于引下线和接闪导体固定支架的间距说法正确的是（）。

  A . 水平面上的水平导体，扁形导体和绞线固定支架的间距-500mm B . 地面至20m处的垂直导体，扁形导体和绞线固定支架的间距-1000mm C . 垂直面上的水平导体，扁形导体和绞线固定支架的间距-500mm D . 垂直面上的水平导体，单根圆形导体固定支架的间距-1000mm E . 从20m处起往上的垂直导体，单根圆形导体固定支架的间距-1000mm

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• 当一段导体切割磁感应线时，下面说法正确的是（）。

  A . A、一定有感应电流 B . B、有感应磁场

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• 导体温度升高时，下面说法正确的是（）。

  A . A、阻值增大 B . B、阻值减小 C . C、阻值不变 D . D、阻值有可能增大，有可能减小

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• 关于半导体测温元件说法正确的是（）。

  A . 半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升 B . P型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中 C . 不能制作成接触型 D . 半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高

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• 下面关于本征半导体导电性的说法，正确的是：（ ）

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• 关于主设备选择的一般原则，下列各项说法正确的是《导体和电器选择设计技术规定》DL/T5222-2005第3条（）

  A．应力求技术先进、安全适用、经济合理，满足正常运行、检修、短路和过电压情况下的要求，并考虑远景发展 ； B．应按当地环境条件校核，与整个工程的建设标准协调一致； C．应根据品种实际需要选用导体及其他设备，以免造成浪费； D．使用新技术、新产品

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• 7、对于孤立导体，下面说法正确的是

  A．导体表面的电荷分布与导体本身形状是有关的 B．若导体表面某处的曲率半径较大，则该处的电荷面密度也较大 C．若导体表面某处较平坦，则该处的电荷面密度较小 D．在导体表面凹陷处的电荷面密度很小

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