晶体管的集电极与发射极之间的正反向阻值都应大于（），如果两个方向的阻值都很小，则可能是击穿了。
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用万用表R3100Ω的欧姆挡，测量一只晶体三极管各极间的正反向电阻，若都呈现出最小的阻值，则这只晶体管（）。
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用万用表测量元件阳极和阴之间的正反向阻值时，原则上（）。
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发射当晶体三使极管的基极电源结反向时，则晶体三极管的集电极电流将减小。
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用万用表R³100的欧姆档测量一只晶体三极管各极间的正、反向电阻，若都呈现最小的阻值，则这只晶体管（）。
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用万用表RX100的欧姆档测量一只晶体三极管各极间的正、反向电阻，若都呈现出最小的阻值，则这只晶体管（）。
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在晶体三极管放大电路中，晶体三极管的发射结上加上正向电压，集电结加反向电压。
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穿透电流Iceo是晶体二极管的主要参数之一，其定义为：基极短路时，集电极和发射极之间的反向电流。
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在晶体管放大电路中，发射结加的反向电压，集电极加的是正向电压。
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当晶体管处于放大状态时，其特征是：发射结处于（）偏置，集电结处于反向偏置。
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用万用表测量元件阳极和阴极之间的正反向阻值时，优质元件在兆欧数量级，少则（）。
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晶体管非门电路如图所示，已知U cc ＝15V，U B ＝－9V，R c ＝3kΩ，R B ＝20kΩ，β＝40，当输入电压U1＝5V时，要使晶体管饱和导通，R x 的值不得大于（）kΩ。（设U BE ＝0.7V，集电极和发射极之间的饱和电压U ces ＝0.3V） https://assets.asklib.com/psource/2016071816380514825.jpg
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晶体三极管具有放大作用，发射结和集电结必须分别加正向偏置和反向偏置。
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当晶体三极管的基极电源使发射结反向时，则晶体三极管的集电极电流将（）。
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晶体三极管集电结和发射结均于反向偏置时，三极管处于饱和状态。
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用万用表R³100的欧姆档测量一只晶体三极管各极间的正反向电阻，若都呈现出最小的阻值，则这只晶体管（）。
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当基极开路，集电极和发射极之间加反向电压时产生的集电极电流叫穿透电流。
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晶体三极管在一定的集电极电压作用下，加在基极与发射极之间的电压与基极电流之间的关系称晶体三极管的（）。
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在测量二极管的正反向阻值时，当测得的阻值（）时，红表棒（内接表内电池的负极）与之相接的那个电极就是二极管的负极，与黑表棒（内接表内电池的正极）相接的哪个电极的二极管的正极
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晶体管处于截止状态的特征是：发射结反向偏置，集电结（)偏置。
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当晶体管饱和时，发射极与集电极之间如同一个开关的接通其电阻（）
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在测量二极管的正、反向阻值时，当测得的阻值()时，红表棒(内接表内电池的负极)与之相接的那个电极就是二极管的负极，与黑表棒(内接表内电池的正极)相接的那个电极为二极管的正极。
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3、3DG6型晶体管的集电极的最大允许电流ICM=20mA，发射极反向击穿电压U（BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW，使用时测得其集电极电流IC=15mA，UCE=10V，则该管（）。
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用万用表R×100Ω的欧姆挡，测量一只晶体三极管各极间的正反向电阻，若都呈现出最小的阻值，则这只晶体管（)。
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若用万用表测出一晶体二极管的正反向电阻阻值相差不多（约200Ω），则说明极管（）
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