关于漏磁场的叙述，正确的是（）

相似题目

• 关于磁场方向，叙述正确的是（）。

  A . 逆磁场方向排列的质子是高能不稳态质子 B . 顺磁场方向排列的质子是高能稳态质子 C . 顺磁场方向排列的质子是高能不稳态质子 D . 逆磁场方向排列的质子是低能稳态质子 E . 逆磁场方向排列的质子是低能不稳态质子

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• 下列关于电流形成磁场的叙述，说法正确的是（）

  A . 电流形成的磁场与电流方向平行 B . 电流从一根导体上通过时，用右手定则确定磁场方向 C . 通电导体周围的磁场强度与电流大小无关 D . 通电导体周围的磁场强度与电流大小有关

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• 关于磁场均匀性，叙述正确的是（）。

  A . 磁场均匀性与测量所用的球体大小成正比 B . 磁体的成像区域越大，磁场均匀性越低 C . 磁场均匀性的单位为mT D . 磁场均匀性与成像质量无关 E . 在测量所用球体大小相同的情况下，ppm值越高，说明磁场均匀性越好

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• 关于梯度磁场，叙述错误的是（）。

  A . 没有梯度磁场就无法进行空间定位，也就无法形成MR图像 B . 梯度磁场的大小决定图像的最薄层厚 C . 梯度磁场切换率决定成像速度 D . 梯度磁场强度越高，图像的空间分辨率越高 E . 梯度磁场切换率越快，人耳听到的噪声越小

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• 下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）

  A . 内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大 B . 缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比 C . 表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降 D . 有缺陷的试件，才会产生漏磁场

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• 下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）

  A . A．缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小 B . B．在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响 C . C．交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小 D . D．在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响； E . E．除A以外都对

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• 关于外伤性脑脊液漏，叙述错误的是（）

  A . 脑脊液漏多可自行停止 B . 岩骨骨折可出现脑脊液耳漏 C . 脑脊液鼻漏见于颅前窝骨折 D . 大量、持续的脑脊液漏应考虑手术修补漏口 E . 脑脊液漏可延迟发生

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• 以下关于磁场叙述不正确的是（）。

  A . 磁场是一种物质 B . 磁场是矢量 C . 任何两条磁力线不相交 D . 磁场方向用左手定则判断

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• 下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）

  A . 内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大 B . 缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比 C . 表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降 D . 用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化

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• 下列关于退磁场的叙述，正确的是：（）

  A . 施加的外磁场越大，退磁场就越大 B . 试件磁化时，如不产生磁极，就不会产生退磁场 C . 试件的长径比越大，则退磁场越小 D . 以上都是

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• 关于强磁场的叙述，错误的是（）

  A . 化学位移伪影比较明显 B . 运动伪影严重 C . 信噪比随着主磁场强度的升高而降低 D . 信号强度随着场强的增加而增加 E . 提高主磁场强度，组织的T1弛豫时间增加

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• 关于磁场强度和磁通密度的叙述，正确的是（）。

  A . 磁场强度与磁导率有关，磁通密度与磁导率无关 B . 磁场强度与磁导率无关，磁通密度与磁导率有关 C . 磁场强度和磁通密度与磁导率都有关 D . 磁场强度和磁通密度与磁导率都无关

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• 下列关于设备管道试漏规范的叙述错误的是（）。

  A . A、介质毒性为极度、高度危害的必须进行试漏 B . B、试漏气体应按设计图样规定 C . C、试漏可以在液压试验前进行 D . D、试漏时安全附件应安装齐全

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• 以下关于时变电磁场的叙述中，正确的是（）

  A . 电场是无旋场 B . 电场和磁场相互激发 C . 电场和磁场无关 D . 磁场是有源场

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• 下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）

  A . A．缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大 B . B．漏磁场的大小与工件的磁化程度无关 C . C．漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关 D . D．工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大

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• 关于漏出性胸腔积液的病因，以下叙述正确的是（）。

  A . 仅由全身性疾病引起 B . 仅由部分器官病变引起 C . 以上两种疾病都能引起 D . 由肿瘤引起

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• 下列各项关于漏肩风的叙述，错误的是（）。

  A . 本病好发年龄为50岁左右 B . 寒湿是导致该病的重要诱因 C . 本病相当于西医学的肩周炎 D . 漏肩风是以肩部疼痛，活动受限为主症 E . 又称"肩凝症"、"冻结肩"

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• 下列关于反磁场的叙述中，正确的是（）

  A . 反磁场是由于工件磁化后形成磁极造成的 B . L/D值越大，反磁场越强 C . 反磁场大小与工件形状无关 D . 将工件夹在电磁铁的两极间形成闭合磁路后，没有反磁场 E . A和D是正确的

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• 下面关于电流形成磁场的叙述中，正确的是（）

  A . 电流通过长圆柱导体形成的磁场是以导体为轴线的同心圆 B . 电流通过线圈产生的磁场大小，各个位置是相同的 C . 通电导体内的磁场与距导体中心的距离成反比 D . 磁场只存在于电流流过的导体内部 E . A和C是对的

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• 下列关于反磁场的叙述，正确的是（）

  A . A．施加的外磁场越大，反磁场就越大； B . B．试件磁化时，如不产生磁极，就不会产生反磁场； C . C．试件的长径比越大，则反磁场越小； D . D．以上都是

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• 下列关于缺陷漏磁通的叙述，正确的是（）

  A . 与试件上总的磁通密度有关 B . 与缺陷自身高度有关 C . 磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大 D . 以上都对

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