位错可以在晶体生长和硅片制备过程中的任意阶段产生（）
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“一向延伸”是指矿物的（）形态，众多晶体生长在一个基座上，各晶体大致沿着相似的方向排列、生长，形成基部相连、末端分离的晶体簇叫（）。象黑钨矿中的铁和钨离子可以相互置换的现象叫（）。
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煤样制备之前、制备之后以及制备过程中的任何中间阶段都应储存在不吸水、不透气的密封容器中并放在（）
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明胶与银离子相互作用，生成一种不稳定的银胶络合物。明胶加热时该络合物分解，生成了银及硫化银，它们聚集在溴化银晶体的缺陷和位错的部位上，构成了感光中心。明胶能吸收卤化银在感光时产生的卤原子，以防止卤原子与银原子的重新化合，因而相对地提高了感光度。明胶可以包围卤化银晶体，使它们彼此不直接接触，并能均匀涂布在片基上，不沉淀、不结块，保护了未感光卤化银晶体不被显影。明胶膨胀后具有多孔性，可使较小分子通过。明胶具有热熔冷凝的特性。明胶黏性很强，使乳剂牢固地黏着在片基上。明胶参与坚膜作用。下列叙述错误的是（）
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真菌的（）是指从一种孢子萌发开始，经过一定的营养生长和繁殖阶段，最后又产生同一种孢子的过程。
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暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
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晶体中的位错线有几种类型？各有什么特点？
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位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的错位，这样产生线缺陷称为位错。（）
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晶体中的刃形位错属于（）。
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在回复阶段，位错密度可以显著降低。（）
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存查煤样应在原始煤样制备的同时，于制样过程中的任一阶段分取。
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结晶釉的析晶过程可以分成 晶 核形成阶段和晶体长大阶 段。
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随着塑性变形的增加,晶体中的位错在逐渐减少。
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在塑性变形过程中，层错能较高的金属中的扩展位错易于产生交滑移。
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简单立方晶体中(100)面有一个b=[011]的位错,在(001)面上有一个b=[010]的刃型位错与它交割,交割后产生了割阶
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2、2. 晶体中的位错在应力作用下可产生运动，位错的运动方式有（）。
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单晶组件EL测试时时常有黑芯片出现，黑芯片主要与硅片的杂质浓度和位错密度有（）
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下列Burgers矢最可能表示简单立方晶体中的全位错的是（)。
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12、将变形后的金属加热到一定温度，金属原子在高密度位错的晶粒边界或碎晶处形成晶核，并不断长大，按变形前的晶体结构形成新的均匀细小的等轴晶粒的情况下使其力学性能和物理性能部分得以恢复的过程称为（）。
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位错属于下列晶体缺陷中的（）
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1、试用位错理论简要解释单晶体滑移变化过程。
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20、结晶釉的析晶过程可以分为晶核形成阶段和晶体长大阶段。
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1、1．试用位错理论简要解释单晶体滑移变化过程。
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