同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小。
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本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。
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迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
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半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
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在外电场的作用下半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（）
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如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
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在保持温度不变的条件下，同种材料制成粗细相同的不等长的导线，其电阻与长度成反比。
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以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn与温度的（）
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在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率，是因为这样的材料（）。
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在通常的情况下，负轻离子的迁移率（）正轻离子。
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制作霍尔元件应采用的材料是半导体材料，因为半导体材料能使截流子的迁移率与电阻率的乘积最大，而使两个端面出现（）差最大。
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对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。
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下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）
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在保持温度不变的条件下，同种材料制成长度相同、粗细不同的导线，其电阻与长度成（）。
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迁移前后电子动量不发生变化，垂直移动叫（）；而在跃迁前后动量变化时，所表示的结晶空穴振动能量的移出、移入、称为（）。
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无限稀薄时,HCl、KCl和NaCl三种溶液在相同温度、相同浓度、相同单位电场强度下,三种溶液中的Cl-迁移数相同。
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试从图4-14求室温时杂质浓度分别为10<sup>15</sup>，10<sup>16</sup>，10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>的p型和n型Si样品的空穴和电子迁移率，并分别计算它们的电阻率。再从图4-15分别求它们的电阻率。
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半导体材料受到应力作用时，其电阻率会发生变化，这种现象称为（）。其是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的，由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向（晶面的法线方向）有关。
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对于工作在强电场下（达到速度饱和）的本征半导体，决定其迁移率的主要的散射机制是库仑散射。
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13、为什么说发光二极管的发光区在PN结的P区？这与电子、空穴的迁移率有关吗？
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4、金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不易做霍尔元件。半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用N型半导体材料。
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若电子和空穴的浓度分别为n、p，迁移率分别为μn、μp，则半导体的电导为：σ=q（）因为n、p、μn、μp都是依赖（），所以电导是温度的函数，因此可由测量电导而推算出温度的高低，并能做出电阻-温度特性曲线．这就是半导体热敏电阻的工作原理
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有一块半导体材料的寿命是lus，无光照的电阻率是10Ω·cm。今用光照射，光被半导体均匀吸收，电子-空穴的产生率是10<sup>22</sup>cm<sup>-3</sup>·s<sup>-1</sup>，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数载流子的贡献占多少比例？
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1、在其他条件相同的情况下，沙土的热容量、导热率比粘土 。
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2、输运方程由电子电流密度和空穴电流密度构成，当载流子的迁移率和扩散系数确定以后，漂移电流取决于（）。
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