在全控型器件中，IGBT的开关速度低，开关损耗大。

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• 下列全控型开关器件中属于电压型驱动的有（）。

  A . A、GTR B . B、GTO C . C、MOSFET D . D、达林顿管

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• GTO一种全控型电力电子器件。

  A . 正确 B . 错误

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• 下列全控型开关器件属于电流型驱动的有（）。

  A . A、IGBT B . B、GTO C . C、MOSFET D . D、SITH

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• 功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。

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• 以下哪些为全控型电力电子器件？（）

  A . 晶闸管 B . IGBT C . IGCT D . GTO

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• 以下不属于全控型电力电子器件的是（）

  A . A．可关断晶闸管 B . 绝缘栅双极晶体管 C . 电力晶体管 D . 二极管

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• 不属于全控型功率电子器件的是（）。

  A . GTO B . GTR C . FST D . MOSFET

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• 下列哪项不属于典型全控型器件？（）

  A . 电力二极管 B . 门极可关断晶闸管 C . 电力晶体管 D . 电力场效应晶体管

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• 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和（）等等。

  A . A、晶闸管 B . B、可控硅 C . C、功率集成器件 D . D、晶体管

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• 全控型器件有（）等器件。

  A . 可关断晶闸管 B . 电力晶闸管 C . 功率场效应管 D . 绝缘栅双极型晶体管 E . 大功率整流二极管

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• 下列器件中为全控型器件的是（）。

  A . 双向晶闸管 B . 快速晶闸管 C . 光控晶闸管 D . 功率场效应晶体管

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• 下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有（）。

  A . A.GTR B . B.IGBT C . C.MOSFET D . D.达林顿管

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• 下列全控型电力电子器件中属于双极型器件有（）。

  A . A.GTR B . B.GTO C . C.SIT D . D.SITH

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• IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）

  A . A、阳极、漏极、集电极 B . B、栅极、集电极、发射极 C . C、阴极、漏极、集电极 D . D、阴极、栅极、集电极

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• 下列电力电子器件中不属于全控型器件的是（）。

  A . A、SCR B . B、GTO C . C、GTR D . D、IGBT

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• 在电力电子器件中，全控型电力电子元件有（）

  A . PD B . SCR C . GTO D . FST

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• 下列电力电子器件属于全控型器件的是（）。

  A . A、SCR B . B、GTO C . C、GTR D . D、MOSFET E . E、IGBT

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• 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。

  A . 正确 B . 错误

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• 在高频开关变换器中，半导体开关器件的主要损耗是（）。

  A . 通态损耗 B . 开通损耗 C . 断态损耗 D . 关断损耗 E . 开关损耗

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• 2以下属于全控型器件的是（）。

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• 绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗低，为电压驱动，驱动功率大（）

  A．正确 B．错误 C．0 D．0

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• 81、GTO是一种全控型器件，其全称是什么？

  A．大功率晶体管 B．门极可关断晶闸管 C．功率场效应管 D．绝缘栅双极晶体管

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