对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
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NPN型三极管具有电流放大作用，导通的条件是发射结加反向电压，集电结加正向电压。
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晶体三极管的工作状态分为三个区域，当发射结正向偏置，集电结反向偏置时，曲线近似水平的部分称为（）。
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NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同，这个箭头是代表发射结在正向连接时的（）方向。
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对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么基极内的空穴（）。
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在NPN型晶体三极管放大电路中，如果基极与发射极短路，下列哪种说法正确（）。
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对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
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晶体管共发射极放大电路电压放大倍数较小。
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当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（）
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对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么发射极内的自由电子（）。
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当晶体管处于放大状态时，其特征是：发射结处于（）偏置，集电结处于反向偏置。
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放大器未加变化电压信号时的工作状态叫做静态，为了使放大器能够正常工作，在静态时晶体三极管的（）发射结必须处于正向偏置，集电结必须处于反向偏置。
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由NPN型晶体三极管组成的共发射极放大电路，现若放大电路静态工作点选的过高，信号容易出现（）失真。
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在NPN型晶体管放大电路中，如果基极与发射极短路，则（）。
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高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结正向偏置。
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当NPN三极管发射结电压小于0V;集电结电压小于0V时,三极管的工作状态是( )。
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为了保证三极管工作在放大区，要求： ①发射结 偏置，集电结 偏置。②对于NPN型三极管，应使VBC 。(填">0"或者"<0")
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集电极开路时发射结击穿电压表示为VEBO。对于标准双极型工艺制造的NPN晶体管，VEBO大约（)左右。A
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晶体管处于截止状态的特征是：发射结反向偏置，集电结（)偏置。
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晶体管工作在放大区时，发射结（）向偏置，集电结（）向偏置。
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【单选题】当输入电压为正弦信号时，如果NPN管共发射极放大电路发生饱和失真，则基极电流ib的波形将（）。
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【单选题】当输入电压为正弦信号时，如果NPN管共发射极放大电路发生饱和失真，则集电极电流ic的波形将（）。
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共发射极放大电路中，当负载电阻增大时，其电压放大倍数的值将（）
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晶体管处于饱和状态的特征是：发射结正向偏置，集电结（)偏置。
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晶体管处于放大状态的特征是：发射结正向偏置，集电结（)偏置。
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