晶体管共发射极的截止频率fβ的定义是（）
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晶体管放大电路，已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib，发射极电流Ie是（）。
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晶体管的特征频率是指当工作频率增高，使β下降至（）时的频率。
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在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极（）放大系数。
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共发射极晶体管交流放大电路的饱和失真和截止失真是指输出电压波形的（）发生畸变。
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一个放大器的上限频率fH=5MHz，选用fβ=5MHz的晶体管能否满足要求？解释原因。
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晶体管fβ参数的定义为（）。
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晶体三极管截止区的特点是：发射结、集电结均处于正偏状态。
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由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。
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晶体管放大电路，已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib，发射极电流Ie等于（）。
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晶体三极管共发射极的电流放大倍数β为（）。
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为使晶体管可靠地处于截止状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。
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晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。
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在晶体管共射极交流基本放大电路中，集电极负载电阻的作用是（）。
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用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时，（）。
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由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电集三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（)。
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（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
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晶体管处于截止状态的特征是：发射结反向偏置，集电结（)偏置。
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固定偏置共射极放大电路出现截止失真，是（）
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晶体管的共发射极输出特性是指以输入端电流IE作参量，输出端电流IC与输出端电压VCE之间的关系。
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共射截频fβ为共射电流放大系数对应的截止频率，共基截频fα为共基电流放大系数对应的截止频率，两者的关系为（）。
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1、高频下的电流增益|βω|与频率f的乘积，是一个与频率无关而完全取决于晶体管本身的常数。
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晶体管工作在截止区发射结处于正向偏置，集电结处于正向偏置，晶体管工作于截止状态UCE=0 。（）
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由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极等3中放大电路中，电压放大倍数最小的是（）
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