晶体场效应

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• 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。

  A . 漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量 B . 漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量 C . 基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量 D . 漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量

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• 场效应晶体管与晶体三极管比较，其突出优点是（）

  A . A、噪声低、输入阻抗低 B . B、热稳定性好、输入阻抗低 C . C、噪声低、输入阻抗高 D . D、噪声低、热稳定性差

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• 绝缘栅双极晶体管的本质是一个场效应管。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 场效应晶体管根据结构不同，可分为两大类：结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。

  A . 正确 B . 错误

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• 晶体三极管和场效应管分别是（）。

  A . 电压控制器件，电流控制器件 B . 电流控制器件，电压控制器件 C . 均为电压控制器件

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• 功率MOS场效应晶体管具有（）、（）和（）。

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• 与晶体管相比，场效应管具有哪些优点？

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• 绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。A、晶闸管B、单结晶体管C、电力场效应管D、电力晶体管和电力场效应管

  A . A、晶闸管 B . B、单结晶体管 C . C、电力场效应管 D . D、电力晶体管和电力场效应管

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• 三极管是电流控制器件，场效应晶体管是（）器件。

  A . 电阻控制 B . 电压控制 C . 动态控制 D . 单项控制

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• 结型场效应晶体管根据结构不同分为（）

  A . A、P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管 B . B、P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管 C . C、N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管 D . D、N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管

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• 绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。

  A . 正确 B . 错误

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• 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。

  A . A、均为电压控制 B . B、均为电流控制 C . C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制 D . D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制

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• 绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）

  A . A.P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管 B . B.增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管 C . C.N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管 D . D.N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

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• 场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下场效应管的噪声比晶体管的要小。

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• 电力晶体管的开关频率（）电力场效应管。

  A . A、稍高于 B . B、低于 C . C、远高于 D . D、等于

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• 功率场效应晶体管一般是（）。

  A . N沟道耗尽型 B . N沟道增强型 C . P沟道增强型 D . P沟道耗尽型

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• 绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力场效应管。

  A . A、稍高于 B . B、低于 C . C、等于 D . D、远高于

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• 场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下场效应管的噪声比晶体三极管要（）

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• 电力场效应晶体管属于电流型控制元件。

  A . 正确 B . 错误

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• 场效应管与双极型晶体管有什么不同？

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• 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。

  A . 电压 B . 电流 C . 双极型为电压、场效应为电流 D . 双极型为电流、场效应为电压

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• 场效应晶体管利用（）决定脉冲的形式。

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• 电力场效应晶体管的开关速度快于绝缘栅双极晶体管（）

  是 否

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• 36、场效应晶体管是电压控制电流器件

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