对于简单立方晶体所形成的能带，下列哪个说法正确？（)

相似题目

• 对于空调制冷系统来说，下列说法哪个是正确的（）。

  A . 制冷剂和冷冻油都应按标准加注，多了和少了制冷效果都不好 B . 制冷剂多了，对制冷效果有好处 C . 冷冻油多了对制冷效果有好处 D . 对于制冷剂没有严格要求，加足为止

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• 铁素体是碳原子溶入到（）立方晶体形成的间隙式固溶体。

  A . A．体心 B . B．面心 C . C．密集六方 D . D．化合物

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• 对于弃置费用形成预计负债后，由于各种原因所造成的预计负债的增加，下列对其账务处理的说法中不正确的是（）。

  A . 增加为当期损益 B . 增加该项固定资产的成本 C . 冲减固定资产的账面价值 D . 暂不进行调整

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• 对于面心立方晶体，产生系统消光的晶面有（）

  A . A、200 B . B、220 C . C、112 D . D、111

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• 关于简单浮子式汽化器所形成的混合气，正确的说法是（）.

  A . 小转速时，偏富油.而中转速以上时，偏贫油 B . 小转速时，偏贫油.而中转速以上时，偏富油 C . 所有转速下，均偏贫油 D . 所有转速下，均偏富油

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• 对于非处方药下列哪个说法不正确（）。

  A . 在外包装上印有专有标识 B . 能在药店购买到 C . 可以在电视等大众媒体做广告 D . 禁止发布任何形式的广告

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• 高温下，超氧化钾晶体（KO 2 ）呈立方体结构（与NaCl晶体结构相似）。如图为超氧化钾晶体的一个晶胞。则有关下列说法不正确的是（） https://assets.asklib.com/images/image2/201707111132317943.png

  A . KO 中既存在离子键也存在共价键 B . 一个KO 晶胞中摊得的K 和O 粒子数均为4个 C . 晶体中与每个K 距离最近的O 有8个 D . 与K 距离相等且最近的K 有12个

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• 下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）

  A . A、它与试件上的磁通密度有关 B . B、它与缺陷的高度有关 C . C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大 D . D、以上都对

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• 简单地说，企业核心竞争力就是企业在经营过程中形成的不易被竞争对手效仿的能带来超额利润的独特的能力。

  A . 正确 B . 错误

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• 对于晶体二极管，下列说法中正确的是（）。

  A . 最大反向电流大，说明二极管的单向导电性能好 B . 最大反向电流大，说明二极管受温度影响大 C . 二极的正向电压必须达到一定时，二极管才导通 D . 二极管正向导通后，正向电流可无限大 E . 当反向电压达到一定时，二极管反向导通会造成损坏

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• 胶凝材料品种和用量的选择，应根据混凝土所处的环境类别和作用等级，对于胶凝材料的选择，下列哪个说法不正确（）

  A . 海水环境中，腐蚀性离子以硫酸根离子为主，因此应选择抗硫酸盐水泥 B . 铝酸盐水泥和快硬硅酸盐水泥相似，均主要适合于紧急抢修工程和低温施工工程 C . 对于承台的大体积混凝土，可在胶凝材料中掺加大量粉煤灰和矿渣微粉 D . 抗碳化性能要求较高的工程，在一定水胶比下应控制好掺和料用量

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• 对于简单线性回归模型的假设条件，下列哪一种说法不正确（）

  A . 误差项是一个独立的随机变量 B . 误差项的期望值等于0 C . 误差项的方差可以不同 D . 误差项为正太分布

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• 在简单立方晶体的（100）面上有一个b= a [001]的螺位错。被（001）面上b= a [100]的螺位错交割，则正确的是（ ）。

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• 简单立方晶体中(100)面有一个b=[011]的位错,在(001)面上有一个b=[010]的刃型位错与它交割,交割后产生了割阶

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• 能带是一系列相近能级所形成的能量区间

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• 关于内眦赘皮形成机制下列说法正确的是哪个（)

  A．外眦部眼睑皮肤的形态分布是由于眼轮匝肌维的走向决定 B．外眦赘皮仅仅是下眼轮匝肌于内眦韧带起始处错位结构所致，通常伴有皮下组织增厚 C．由于外眦部垂直向皮肤张力过大，牵拉而使内眦部产生皱襞所致 D．外眦赘皮由上下眼轮匝肌于内眦韧带起始处错位结构所致，通常伴有皮下组织增厚 E．由于内眦部垂直向皮肤张力过大，牵拉而使内眦部产生皱襞所致

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• 商标资产的经济价值并非简单地由商标、设计、制作、申请、保护及广告宣传等方面的花费而形成，这些费用对商标价值起影响作用，而不是决定作用，起决定作用的是商标所能带来的超额收益。

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• NaC1的晶体结构是简单的立方点阵,其分子量M=58.5,密度ρ=2.17g/cm³, （1)试证明相邻两离子间的

  NaC1的晶体结构是简单的立方点阵，其分子量M=58.5,密度ρ=2.17g/cm³, (1)试证明相邻两离子间的平均距离为 <img src='https://img2.soutiyun.com/shangxueba/ask/21072001-21075000/21074885/950868183689314.jpg' /> 式中<img src='https://img2.soutiyun.com/shangxueba/ask/21072001-21075000/21074885/950868198060269.png' />为阿伏加德罗常数: (2)用X射线照射晶面时，第二级光谱的最大值在掠射角为1°的方向上出现。试计算该X射线的波长。

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• 面心立方简单晶格分子晶体，只考虑第二近邻，A6和A12常数分别为？

  A．12.750，12.094 B．12，12.094 C．12.750，12 D．13.639，12.127

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• 对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态;对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（)。

  A．上，积累，下，耗尽或反型 B．上，耗尽或反型，上，积累 C．上，积累，上，耗尽或反型 D．下，积累，下，耗尽或反型

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• 下列Burgers矢最可能表示简单立方晶体中的全位错的是（)。

  A．A.[100] B．B.1/2[110] C．C.1/3[111]

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• 在简单立方二维晶体中画出一个刃型位错，并用柏氏回路求出其柏氏矢量。

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• 6、简单立方晶体的致密度是（）。

  A．0.74 B．0.68 C．0.52 D．0.38

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• 3、对于简单碰撞理论中临界能Ec,下列说法中正确的是（)

  A．反应物分子应具有的最低能量 B．Ec就是反应的活化能 C．反应物分子的相对平动能在质心连线方向上分量的最低阈能值 D．碰撞分子对的平均能量与反应物分子平均能量的差值

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