N沟道结型场效应管正常工作，应在其栅源之间加正向电压

相似题目

• 结型场效应管的类型有（）。

  A . N沟道结型场效应管 B . P沟道结型场效应管 C . N沟道增强型MOS管 D . P沟道增强型MOS管 E . N沟道耗尽型MOS管 F . P沟道耗尽型MOS管

  查看最佳答案

• 结型场效应管的文字符号为（）。

  A . A、S B . B、D C . C、V D . D、A

  查看最佳答案

• 结型场效应管的输出特性曲线可分为（）。

  A . A、可变电阻区和饱和区 B . B、可变电阻区和击穿区 C . C、饱和区和击穿区 D . D、可变电阻区、饱和区和击穿区

  查看最佳答案

• 场效应管除了结型场效应管外，还有（）型场效应管；

  A . 绝缘型； B . IGBT型； C . 稳压型；

  查看最佳答案

• 静电感应场效应管SIT是一种结型场效应管，属于（）

  查看最佳答案

• D沟道型场效应管中的载流子是（）

  A . 自由电子 B . 空穴 C . 电子和空穴 D . 带电离子

  查看最佳答案

• N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）

  A . 正极性 B . 负极性 C . 零 D . 不能确定

  查看最佳答案

• 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。

  A . 正确 B . 错误

  查看最佳答案

• 结型场效应管的UGS跟ID的关系，下述答案中正确的是（）

  A . UGS＝UP，ID＝0 B . UGS＝0，ID＝0 C . UGS＝UP，IP＝IDSS D . UGS＜UP，IP＝0

  查看最佳答案

• 结型场效应管用作放大时，输入端G、S间应保持（）。

  A . A、反向偏置 B . B、正向偏置 C . C、正向、反向偏置均可

  查看最佳答案

• 一个N沟道结型场效应管工作时，测得UDS=6V，ID=3mA，UGS=-1V，问此管工作在什么区域（）

  A . A、非饱合区 B . B、饱合区 C . C、击穿区 D . D、高阻区

  查看最佳答案

• 结型场效应管具有很高输入电阻的原因是栅源之间PN结反偏。（ ）

  查看最佳答案

• 增强型MOS管与结型场效应管的g-s间等效电阻大的原因相同。

  查看最佳答案

• P 沟道结型场效应管的夹断电压 V P 为 _______ 。

  查看最佳答案

• 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其大的特点。/ananas/latex/p/1654

  查看最佳答案

• 根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。此题为判断题(对，错)。

  是 否

  查看最佳答案

• 绝缘栅场效应管结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点（）

  是 否

  查看最佳答案

• 7、P沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应小于夹断断电压大于零（）。

  查看最佳答案

• N沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压VGS越高，沟道电阻（）

  A．不一定 B．不变 C．变小 D．变大

  查看最佳答案

• N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（）

  是 否

  查看最佳答案

• 当工作在恒流区时，N沟道结型场效应管栅极电位（)源极电位，PN结（)。

  A．大于，正偏 B．小于，反偏 C．等于，零偏压

  查看最佳答案

• 15、作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。

  查看最佳答案

• 下图是一种实用的文氏桥振荡器，其中D₁是普通二极管，D₂是稳压二极管，T₁是N沟道结型场效应管，试分析它的稳幅原理，(提示：场效应管在V_DS很小的时候工作在可变电阳区，其导通电阻是V_DS的函数。)

  <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-09-17/969209330402399.png' />

  查看最佳答案

• 2、自偏置电路只适用于结型场效应管。

  查看最佳答案