从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管和锗管有什么区别?
相似题目
-
硅管和锗管是两种不同材料的晶体三极管。晶体三极管的排列方式分为()和()。
-
二极管伏安特性曲线上有一个死区电压,什么是死区电压?
-
晶体二极管的伏安特性曲线由正向特性、反向特性、反向击穿电压三部分组成。
-
区分硅管和锗管是通过测量BE结的()。
-
所谓晶体二极管的伏安特性是指加到二极管两端的电压与流过二极管电流的特性曲线。
-
反映二极管的电流与电压的关系曲线叫二极管的伏安特性曲线,有正向特性曲线和反向特性曲线之分。
-
绘图题:请划出硅和锗两种二极管的伏安特性曲线。
-
二极管的伏安特性曲线?
-
二极管的伏安特性可大概理解为()、()。导通的硅管的压降约为()V。
-
什么是二极管的伏安特性曲线?
-
晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为(),锗管约为0.3V。
-
从二极管伏安特性看,当()时,二极管的导通电阻小.
-
常温下二极管的门限电压或阀电压,硅管一般为()左右,锗管为()左右。
-
绘图题:请划出硅和锗两种二极管伏安特性曲线。
-
稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线不完全一致。
-
按制作材料,晶体二极管可分为硅管和锗管。
-
二极管导通后,正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为( ),锗管的正向压降为( )
-
三极管按其制作材料分为硅管和锗管。此题为判断题(对,错)。
-
2、从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。
-
二极管正向导通时,压降很小,硅管 0.2- 0.3V,锗管0.5- 0.7V。()
-
晶体二极管的伏安特性曲线上,当温度升高时,正向特性曲线向移动()
-
鉴别硅管和锗管时,可用数字万用表的二极管挡直接进行测量判断。硅管为0.7V左右;锗管为V左右()
-
三极管按材料不同可分为硅管和锗管,按频率高低不同可分为高频管和低频管。-般fa≤3 MHz的为低频管()
-
1、测量电阻的伏安特性、发光二极管的正反向伏安特性和稳压管的正反向伏安特性。 整理实验数据,根据实验数据在u-i坐标系下画出电阻、发光二极管、稳压管的伏安特性曲线。 根据实验数据结果总结元件的特性。 思考:如何用万用表判断稳压管的极性及好坏;测量二极管的伏安特性时,正向伏安特性电路图与反向伏安特性电路图的不同在哪里,为什么?稳压管的稳压功能是利用伏安特性曲线的哪一部分,为什么? 撰写实验报告。