15、PN结的击穿现象（）

相似题目

• PN结的主要特性是（）。

  A . 单向导电性、电容效应 B . 电容效应、击穿特性 C . 单向导电性、击穿特性 D . 单向导电性、电容效应、击穿特性

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• 二极管的正极与PN结的P区连接，负极与PN结的N区相连。

  A . 正确 B . 错误

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• PN结的三个主要特性是？

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• PN结的正向接法是（）。

  A . A.P接正电压 B . B.N接正电压 C . C.PN接正电压 D . D.PN接付电压

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• PN结的基本特性是（）

  A . 单向导电性 B . 半导性 C . 电流放大性 D . 绝缘性

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• 硅PN结的正向导通电压约为（）.

  A . A．小于0.1V B . B．0.2~0.3V C . C．0.6~0.7V D . D．大于1V

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• 什么叫PN结的反向击穿？

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• PN结的反向接法是（）。

  A . A、P接正电压 B . B、N接正电压 C . C、PN接正电压 D . D、PN接负电压

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• PN结的反向漏电流（）而急剧增大。

  A . 随着电压的升高 B . 随着电压的降低 C . 随着温度的升高 D . 随着温度的降低

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• 半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的反向击穿特性特性来实现的。

  A . 正确 B . 错误

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• PN结的导电特性是（）。

  A . 单向导电 B . 反向导电 C . 双向导电 D . PN结导电

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• PN结的宽度稳定后（）。

  A . 载流子停止运动 B . 只有多数载流子的扩散运动 C . 扩散与漂移运动达到动态平衡

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• PN结的主要特点是什么？

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• 锗材料PN结的结压降为（）。

  A . 0.7V B . 0.3V C . 1V D . 2V

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• 加大PN结的反向电压到某一值时，反向电流突然剧增，这种现象叫PN结（）。

  A . A、烧坏 B . B、击穿 C . C、穿透 D . D、损坏

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• 什么叫PN结的正向偏置?

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• PN结的主要特点是具有（ ）。

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• 3、PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。

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• 关于PN结的说法正确的是（)。

  A．A.PN结上加正向电压时PN结电阻很高 B．B.PN结上加负向电压时PN结电阻很低 C．C.PN结具有单向导电性 D．D.PN结具有双向导电性

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• PN结的内建电势与（)有关。

  A．温度 B．掺杂浓度 C．材料种类 D．外加电压

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• pn结的形成

  下列关于PN结的形成，说法正确的是：()。 A．PN结是由于P型半导体和N型半导体结合在一起时，在其交界面处所形成的 B．多子的扩散运动和少子的漂移运动，达到动态平衡，形成了PN结 C．动态平衡后，空间电荷区中，包含有静止的自由电子-空穴对，以及静止的正、负杂质离子 D．空间电荷区中存在内电场，也称为势垒区

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• 1、稳压二极管是利用PN结的（）。

  A．单向导电性； B．反偏截止特性; C．电容特性; D．反向击穿特性。

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• 3、PN结伏安特性方程可以描述PN结的 特性。

  A．正向 B．反向 C．正向和反向 D．击穿

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• 3、PN结的特性主要有（）。

  A．单向导电性 B．反向击穿特性 C．电容特性 D．低电压稳压特性

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