10、NPN型三极管的发射区发射电子,集电区收集电子。
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由于三极管有发射结和集电结两个PN结,因此,可根据PN结()的特点,利用万用表的欧姆挡来判别三极管是NPN型还是PNP型。
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三极管的内部结构是由基区、()区、集电区及发射结和集电结组成的。
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一个NPN型三极管,其基极、集电极、发射极电位分别是3.7V、5.4V,3V,此三极管处于()状态。
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NPN型三极管具有电流放大作用,导通的条件是发射结加反向电压,集电结加正向电压。
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晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。
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对NPN型晶体管,如果在集电极和发射极施加电压,其中集电极为正电压,那么基极内的空穴()。
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NPN三极管的集电极电流是总电流,它等于发射极和基极电流之和。
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三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的,故发射极和集电极可以互换使用。
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三极管发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为()。
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晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体(N型或P型)构成,所以发射极和集电极可以相互调换使用。
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对NPN型晶体管,如果在集电极和发射极施加电压,其中集电极为正电压,那么发射极内的自由电子()。
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NPN三极管有电流放大作用,它导通的必要条件是发射结加()向电压,集电结加()向电压。
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NPN型三极管的发射区中多数载流子是电子
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穿透电流是表征三极管性能的重要参数,其大小可以用万用表的欧姆档来测量。以NPN管为例,用黑表笔接集电极,红表笔接发射极,看指针偏转的大小。指针偏转的越大()。
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三极管工作在放大状态时,发射区是()载流子,基区则是作为输送和控制载流子的基地,集电区是()载流子的。
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标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
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晶体三极管的基区之所以做得很薄,其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
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三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
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三极管内部由三层半导体材料组成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别为发射结和()。
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当NPN三极管发射结电压小于0V;集电结电压小于0V时,三极管的工作状态是( )。
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为了保证三极管工作在放大区,要求: ①发射结 偏置,集电结 偏置。②对于NPN型三极管,应使VBC 。(填">0"或者"<0")
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为了保证三极管工作在放大区,要求:①发射结___偏置,集电结___偏置。②对于NPN型三极管,应使VBC___。
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工作在放大区的NPN三极管,其发射极的电流IE=1mA,基极电流为IB=20μA,则集电极电流IC为()mA。 A. 0.98 B. 1.0 C. 1.02
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8、晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体,所以发射极和集电极可以调换使用。
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