3、离子晶体没有键长、键角和键能,只有晶格能。
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矿物表面按键能强弱分为两类:较强的原子键或离子键及较弱的分子键,矿物表面这种未饱和的键能,决定其()。
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键头与键槽试配,保证其配合性质,然后挫配键长和键头,留()毫米间隙
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离子晶体MX在表面力作用下,极化率小的正离子应处于稳定的晶格位置,易极化的负离子受诱导极化偶极子作用而移动,从而形成表面(),这种重排的结果使晶体表面能量趋于稳定。
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混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。
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无规聚丙烯在环己烷或甲苯中、30℃时测得的空间位阻参数(即刚性因子)δ=1.76,试计算其等效自由连接链长度b(已知碳—碳键长为0.154nm,键角为109.5°)。
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杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。
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1mol气态钠离子和1mol气态氯离子结合生成1mol氯化钠晶体释放出的热能为氯化钠晶体的晶格能。下列热化学方程中,能直接表示出氯化钠晶体格能的是()
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离子晶体晶格能
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在晶格结构上,按一定规则交替排列着正离子和负离子,正负离子之间靠静电引力互相结合,这种晶体叫()。
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晶体缺陷的共同之处是它们都能引起晶格畸变。
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根据晶体物质的晶格结点上占据的质点种类(分子、原子、离子)不同与质点排列方式不同,把晶体分为几种类型()。
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在多晶体中,晶界是原子(离子)快速扩散的通道,并容易引起杂质原子(离子)偏聚,同时也使晶界处熔点()晶粒;晶界上原子排列混乱,存在着许多空位、位错和键变形等缺陷,使之处于应力畸变状态。
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一般情况下,离子晶体的晶格能越大,离子晶体的熔点越高,硬度越大。
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用普通平键时,键的截面尺寸b×h和键长L都是根据强度计算确定的。 ( )
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共价键的键长和键角决定分子的( )
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用普通平键时,键的截面尺寸b×h和键长L都是根据强度计算确定的。 ( )
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26、离子所带电荷越多、半径越小,则其电荷密度越大,离子键越强,该离子晶体的晶格能也越大。
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在共价键基础参数中,键能和键级用来描述共价键强度,键长和键角可用来描述共价分子空间结构,而键矩则可用来描述共价键极性。()
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平键的设计中,先根据轴径D从标准中选取键宽B和键高H,再按()选出相应键长。
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根据从氨到甲胺的键角和键长的变化推测二甲胺,三甲胺以及四甲基铵基的键角和键长。
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10、已知[CoF6]3-的磁矩为5.26B.M.,则该配离子的晶体场稳定化能为
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晶体结构中某种原子或离子被其他类似的质点所代替,使得晶格常数发生不大的变化而结构形式不变的现象称为_________,对其产生影响的因素主要有温度,压力,原子和离子半径,_________等。
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实验证明,臭氧离子O<sub>3</sub><sup>-</sup>的键角为100°,试用VSEPR模型解释之。并推测其中心氧原子的杂化轨道类型。
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4、聚乙烯的典型晶片厚度约为12.5 nm,那么分子链垂直穿过晶片时碳原子的最少数目为(假定C-C键长为0.154 nm,键角为109.5°)
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