不含杂质的半导体称为P型半导体
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导电能力主要由（）决定的，称为P型半导体。
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P型半导体材料又称为空穴型半导体，其多数载流子为正电荷.
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本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
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P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。
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在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
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当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
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P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
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按照半导体理论对不含杂质而且结构非常完整的半导体单晶称为（）。
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掺有杂质的半导体称为（）。
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举例说明什么是受主杂质，什么是p型半导体？
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在硅半导体中掺入少量的磷杂质，这种半导体一般称为（）型半导体。
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P型半导体中，自由电子的数目少于空穴的数目，其导电能力主要由空穴决定，所以称为（）型半导体。
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将P型半导体和N型半导体经过特殊工艺加工后，会有机地结合在一起，就在交界外形成了电荷的薄层，这个带电荷的薄层称为（）。
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纯净半导体又称为 半导体，在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成P型半导体，在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成N型半导体.
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在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是（________），它主要依靠多数载流子导电。
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不含任何杂质的单晶半导体称为__________半导体。
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空穴为（ ）载流子。自由电子为（ ）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
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在本征半导体中掺入微量五价元素可得到 型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到 型杂质半导体。
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20、当半导体硅中掺有受主杂质时，主要靠______导电，这种半导体称为P型半导体。
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P型杂质半导体、N型杂质半导体多子、少子分别是什么
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杂质半导体分为()型和()型
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【简答题】P型杂质半导体、N型杂质半导体多子、少子分别是什么？
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一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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3、p型半导体中以 杂质为主。
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