THDS-A探测系统中磁头的绝缘电阻应该大于（）

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  A . 1.5KΩ B . 2.5KΩ C . 3.5KΩ D . 4.5K&Omega

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• THDS-A系统磁头板完成（）路磁头信号的滤波和整形。

  A . 4 B . 3 C . 2 D . 1

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• 下列有关THDS-A红外轴温探测系统磁头板的作用的描述不正确的是（）

  A . A、处理4路磁头信号 B . B、对磁头信号进行滤波 C . C、仅处理3路磁头信号 D . D、对磁头信号进行限压

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• THDS-A探测系统中磁头的静态噪声应该小于（）

  A . 100mV B . 150mV C . 200mV D . 250mV

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• THDS-A探测系统磁头安装在铁轨上的方式为（）

  A . 磁头一般安装在远离机房一侧，在电气化区段必须装在非电网回路一侧的钢轨上 B . 磁头一般安装在靠近机房一侧，在电气化区段必须装在电网回路一侧的钢轨上 C . 磁头一般安装在靠近机房一侧，在电气化区段必须装在非电网回路一侧的钢轨上 D . 磁头一般安装在远离机房一侧，在电气化区段必须装在电网回路一侧的钢轨上

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• 下列有关THDS-A红外轴温探测系统磁头描述正确的是（）

  A . A、THDS-A设备有4个磁头 B . B、2号磁头是开机上电磁头 C . C、平时设备使用2、3号磁头，4号为冗余备份磁头 D . D、当2、3号磁头损坏1个后，系统会自动切换，使用其他两个磁头信号。不影响设备接车 E . E、4号磁头是开机上电磁头

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• THDS-A红外轴温探测系统如果出现靶温故障，应测量故障一侧的铂电阻，其阻值应在（）欧姆之间（环温在0～40℃之间）。

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• THDS-A红外轴温探测系统2#磁头与3#磁头相距（）mm。

  A . A、200 B . B、250 C . C、300 D . D、350

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• THDS-A红外轴温探测系统2#磁头与3#磁头相（）mm。

  A . A、200 B . B、250 C . C、300 D . D、350

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• THDS-A探测系统中磁头的适应车速是（）

  A . 50～360Km/h B . 15～100Km/h C . 50～200Km/h D . 5～360Km/h

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• THDS-A红外轴温探测系统如果出现磁头故障，正确的解决办法是（）。

  A . 更换磁头 B . 更换磁头板 C . 更换AD采集板 D . 在控制箱JK3插座上，用万用表交流档（20V）在过车的时候测量故障磁头的正负极，如果有电压输出，则更换磁头板，如果没有电压输出，则检查磁头和磁头电缆

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• HTK-391型轴温探测系统中开门磁头中心距关门磁头中心为（）。

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• THDS-A红外轴温探测系统中修标准中，电缆外皮与芯线绝缘电阻应大于（）欧姆。

  A . 5M B . 10M C . 15M D . 20M

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• 下列有关THDS-A红外轴温探测系统磁头板的作用的描述正确的是（）

  A . A、处理4路磁头信号 B . B、对磁头信号进行滤波 C . C、仅处理3路磁头信号 D . D、对磁头信号进行限压 E . E、仅处理4好磁头信号

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• THDS-A红外轴温探测系统如果出现磁头故障，则可能出现问题的部件有（）

  A . A、温控板 B . B、模拟信号调理板 C . C、磁头 D . D、温度变送器 E . E、磁头板

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• THDS-A探测系统中的磁头中属于开机磁头的是（）

  A . 1＃磁头 B . 2＃磁头 C . 3＃磁头 D . 4＃磁头

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• THDS-A红外轴温探测系统2、3号磁头的作用是（）

  A . 计轴计辆和测速 B . 仅计轴计辆 C . 仅测速 D . 开机

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• 1THDS-A探测系统中的4＃磁头中作用是（）

  A . 冗余磁头 B . 开机磁头 C . 关机磁头 D . 测速磁头

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• THDS－A探测系统中磁头的适应车速是（)

  A . 50～360Km/h B . 15～100Km/h C . 50～200Km/h D . 5～360Km/h

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• THDS－A探测系统中磁头的静态噪声应该小于（)

  A . 100mV B . 150mV C . 200mV D . 250mV

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• THDS-A（）探测站设备安装要求中，一号磁钢与二号磁钢的距离宜大于（）

  A．10米 B．20米 C．50米 D．40米

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• THDS－A探测系统中磁头的绝缘电阻应该大于（)

  A . 100Ω B . 100KΩ C . 1MΩ D . 100MΩ

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• THDS-BS红外轴温探测系统磁钢的绝缘电阻要求大于（)以上。

  A．50MΩ B．100MΩ C．200MΩ D．20MΩ

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• THDS-A（）探测站的车轮传感器引线与外壳的绝缘阻抗应大于（）

  A．800MΩ B．400MΩ C．200MΩ D．100MΩ

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