屏蔽效应

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• 为减少电磁干扰的感应效应，宜采取以下的基本屏蔽措施：（）和（）的外部设屏蔽措施，以（）的路径敷设线路，线路屏蔽。这些措施宜联合使用。

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• 屏蔽是减少（）的基本措施。为减少感应效应宜采取以下措施：外部屏蔽措施、线路敷设于合适的路径，线路屏蔽。这些措施宜联合使用。

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• 由于阳极间的屏蔽效应，有些场合虽然增加了较多的阳极，而获得的接地电阻（）却较少。

  A . 增高 B . 降低 C . 数值 D . 变化

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• 局部屏蔽效应

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• 为减小感应效应而采取的屏蔽及布线措施通常有（）、（）、（），这些措施可组合使用。

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• 为减小感应效应而采取的屏蔽及布线措施通常有（）、适当的布线措施、线路屏蔽措施，这些措施可组合使用。

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• 少电磁干扰的感应效应，宜采取以下的基本屏蔽措施：建筑物和房间的外部设屏蔽措施，以合适的路径敷设线路，线路屏蔽。这些措施宜（）。

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• 屏蔽效应

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• 涂料中主要通过屏蔽效应提供防腐的防锈颜料有（）。

  A . A、磷酸锌 B . B、铝浆粉 C . C、铝粉 D . D、云母氧化铁 E . E、玻璃鳞片

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• 消除天线效应常用的方法有：采用（）和采用屏蔽环状天线两种。

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• 为减少电磁干扰的感应效应，宜采取以下的基本屏蔽措施：建筑物和（）的外部设屏蔽措施，以（）的路径敷设线路，线路屏蔽。这些措施宜联合使用。

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• 为减少电磁干扰的感应效应，应采取的基本屏蔽措施是（）

  A . 建筑物或房间的外部设屏蔽措施 B . 设备屏蔽 C . 静电屏蔽 D . 以合适的路径敷设线路，线路屏蔽

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• 1H核磁共振波谱分析中，受到屏蔽效应小的一组H核，其共振信号将出现在（）。

  A . 扫频下的高频，扫场下的高场，化学位移δ值较小 B . 扫频下的高频，扫场下的低场，化学位移δ值较大 C . C、扫频下的低频，扫场下的高场，化学位移δ值较大 D . D、扫频下的低频，扫场下的高场，化学位移δ值较小

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• 屏蔽原理的涡流效应

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• 外层电子对内层电子的屏蔽效应也需要考虑

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• 对于最外层电子，它受到内层和同层电子屏蔽效应从小到大的顺序是

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• 屏蔽效应是由( )引起的

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• 屏蔽效应使电子的能量升高 , 钻穿效应使电子的能量降低。

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• 屏蔽效应是由分子的空间位阻引起的（ ）

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• 22、为估计原子核外某一电子受到的屏蔽效应，需考虑对该电子排斥作用的是（)

  A．仅是位于该电子内层的电子 B．位于该电子外层的电子 C．仅是位于该电子同层的电子 D．位于该电子的内层和同层的电子

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• 15、钻穿效应使屏蔽效应

  A．减弱 B．增强 C．无影响 D．增强了外层电子的屏蔽作用

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• 如果只考虑屏蔽效应，请计算氢原子1s轨道的能量，氯原子1s，2s，2p轨道能量，计算结果说明什么？

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• 在防雷击电磁波设计时，为减少电磁干扰的感应效应需采取基本屏蔽措施，下列哪些是正确的？ A 建筑物和房间的外部设屏蔽 B 以合适的路径敷设线路 C 线路屏蔽 D 前三项所述措施不宜联合使用

  A．建筑物和房间的外部设屏蔽 B．以合适的路径敷设线路 C．线路屏蔽 D．前三项所述措施不宜联合使用

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• 8、下列关于屏蔽效应的说法中，正确的一个是（）

  A．4s电子的屏蔽常数反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小； B．当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时，其电子能量值愈高； C．主量子数n相同，角量子数l不同；随l增大，电子的屏蔽作用增大； D．当n和Z相同时，某电子的屏蔽效应数值σ愈大，该电子的能量就愈低。

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