IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，下列哪项属于它的特性（）
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GTR在应用中应特别注意二次击穿问题，在电感性负载和大电流开关电路中，二次击穿是晶体管毁坏的主要原因。二次击穿将造成GTR的永久性损坏，不具有可逆性。发生二次击穿必须同时具备三个条件，即高电压、大电流和（）。
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IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）
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功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
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当频率合成器失锁时，GTR—100/C收发信机的动作是（）。
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简述GTR手术适应证。
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电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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电力晶体管GTR内部电流是由（）形成的。
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绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和（）的优点集于一身。
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什么是电力晶体管（GTR）？它有何特点？
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GTR的主要缺点之一是（）
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绝缘栅双极晶体管IGBT将（）和GTR的优点集于一身。
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GTR的工作状态分（）。
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下列选项中，（）不是常用的电力晶体管（GTR）。
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以下集成电路（）是GTR的专用集成电路。
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目前常用的GTR类型有（）、（）和（）三种。
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GTR100电台所设置的各项参数保存在（）中。
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GTR的特点及应用注意事项是什么？
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GTR的驱动电路一般分为恒流驱动和（）两大类。
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GTR的静态特性有三个工作区，分别是___________。
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GTR通态损耗和断态损耗较小，开关损耗较大，当开关频率越高，开关损耗是总损耗的主要部分。
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GTR的安全工作区时如何定义的？
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IGBT管具有以GTR为主导元件，以MOSFET为驱动元件的复合结构。（)
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GTR的开通时间包括延迟时间和（）时间。
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评价GTR的参考方法中属于金标准的是菊粉清除率。（）
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