理想晶体
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在实际晶体中原子的排列不可能这样规则和完整而且或多或少存在偏离理想结构的区域通常把这种偏离完整性的区域称为（）。
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根据晶体中质点以及质点之间相互作用力的不同，可以把晶体主要分为：离子晶体、金属晶体、原子晶体和分子晶体。
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晶体结构缺陷按照其尺度范围（即按照偏离理想结构的周期性有规律排列的区域大小）来分类，可分为（）类。
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单晶体在外力作用下，沿特定的结晶方向（一般平行于理想晶面方向）裂开成较光滑的平面性质，称为（）。
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（）是不能植入人工晶体的白内障术后无晶体眼矫正较理想的方法。
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矿物晶体的晶面事实上不是理想平面。
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理想晶体的特点是原子排列绝对整齐，没有一点儿缺陷。
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理想晶体的内部都或多或少地存在有各种晶体缺陷。
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同种矿物的实际晶体与理想晶体形态有何异同？
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在串联晶体振荡电路中，晶体等效为电阻，在并联晶体振荡电路中，晶体等效为电感。
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晶体在生长过程中，由于外界环境条件的影响，使得晶体各部位以不同的速度生生，结果同一单形的晶面不同形、也不等大，失去了理想形的晶体特征，称为（）。
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晶体在生长过程中，由于外界环境条件的影响，使得晶体各部位以不同的速度生生，结果同一单形的晶面不同形、也不等大，失去了理想形的晶体特征，称之为歪晶。
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晶体有两种理想形态，分别是（）和 （）。
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4、由电阻器、电容器、线圈、变压器、晶体管、运算放大器、传输线、电池、发电机和信号发生器等电气器件和设备连接而成的电路，称为理想电路。
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金属理想晶体的强度比实际晶体的强度高得多。（)
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在绝对零度时，任何完美理想晶体的熵值等于零，即 S* （0 K) = 0 （）。
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受控源也是理想元件，用于晶体管等电子器件的模型中，它表示电路一条支路的（）对另一条支路电压或电流的控制
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在金属晶体中，由于晶体的形成条件、原子的热运动及其他各种因素的影响，原子规则排列在局部区域受到破坏，呈现出不完整，导致金属的实际性能比理想晶体结构（）
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（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
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已知某理想乙类功率放大电路晶体管的PT1m=2W，则该放大电路的最大输出功率可达 。
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适合熔体生长可以获得高质量单晶体的理想材料应具有：
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某理想晶体上不同形状的晶面属于不同种单形。（)
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图P3.6所示电路参数理想对称,晶体管的β均为100,r<sub>bb</sub>=100Q,U<sub>BRQ</sub>≈0.7V.试求R<sub>w</sub>的滑动端在中点时T<sub>1</sub>管和T<sub>2</sub>管的发射极静态电流I<sub>EQ</sub>以及动态参数A<sub>d</sub>和R<sub>t</sub>.
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当晶体中位错密度很低时，接近于理想状态，晶体强度很高;相反在晶体中位错密度很高时，其强度也很高。（)
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