在MOS门电路中，欲使FMO3管导通，栅极所加电压应（）开启电压（Ure<0）。
相似题目
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晶闸管的导通与否只与门极加电压有关，与其两闻风而端所加电压无关。
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晶闸管的导通与否与门极加电压有关，与其两端所加电压无关。
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在晶闸管施加（）与所加交流电压周期不等的情况下，只要在交流电压正半周内控制极送来触发脉冲时，晶闸管就会在此刻导通并维持到此正半周电压过。
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（）可控硅的导通与关断是由控制极所加电压决定的。
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一个MOS管当栅极与漏极短接时，该MOS管可以作为（）。
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正常工作条件下，为保证晶闸管可靠触发，实际所加的触发电压应大于门极触发电压。
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单项半波整流电路中，交流电压在（）周期内，只有半个周期导通。
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电容器用在交流电路中，所加的交流电压的最大值（峰值）不超过额定直流工作电压。
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集成电路中，由MOS管组成的逻辑门叫（）集成逻辑门。
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当二极管所加电压很低时，正向（）非常小，属于弱导通状态，通常称这个区域为死区。
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可控硅的导通与关断是由控制极所加电压决定的。()
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一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为（）V。
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对于MOS门电路多余端可以悬空。
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处在交流电路中的纯电阻，两端所加的电压与流过电阻的电流在相位上是（）。
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MOS管的栅极可与双极型栅极的（）相对应。
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绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由栅极电压来控制的。
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晶闸管的导通与否只与门极加电压有关，与其两端所加电压无关。
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在脉冲调宽开关电源中，若开关管导通时间变大、变小，占空比将随着变小、变大，变压器储存的能量会增大、减小。
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在三相星形桥式接法中，每个功率管导通120电角度。
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正常工作条件下，为保证晶闸管可靠触发，实际所加的触发电压应大于门极触发电压。此题为判断题(对，错)。
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24、设MOS管的VPN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
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25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
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26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
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23、设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在恒流区。
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