绝缘栅双极晶体管的开关速度（D）电力晶体管（）

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• 绝缘栅双极型晶体管为电流控制元件，输入阻抗小，开关速度高。

  A . 正确 B . 错误

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• 绝缘栅双极型晶体管简称（）。

  A . A、MOSFET B . B、IGBT C . C、GTR D . D、GTO

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• 斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态。

  A . 正确 B . 错误

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• 绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。

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• 绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。A、晶闸管B、单结晶体管C、电力场效应管D、电力晶体管和电力场效应管

  A . A、晶闸管 B . B、单结晶体管 C . C、电力场效应管 D . D、电力晶体管和电力场效应管

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• 电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

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• 绝缘栅双极晶体管属于（）控制元件。

  A . A、电压 B . B、电流 C . C、功率 D . D、频率

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• 绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。

  A . 正确 B . 错误

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• 绝缘栅双极型晶体管内部为（）层结构。

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• 绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。

  A . A、晶闸管 B . B、单结晶体管 C . C、电力场效应管 D . D、电力晶体管和电力场效应管

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• 绝缘栅双极晶体管（）电路。

  A . 不必有专门的强迫换流 B . 可以有专门的强迫换流 C . 必须有专门的强迫换流 D . 可以有专门的强迫换流

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• 绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。

  A . A、“IGBT” B . B、“BJT” C . C、“GTO” D . D、“MOSFET”

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• IGBT绝缘栅双极晶体管兼有（）的优点。

  A . 高输入阻抗 B . 高速特性 C . 大电流密度 D . 所需驱动功率小 E . 驱动电路简单

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• 绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力晶体管。

  A . A、低于 B . B、等于 C . C、稍高于 D . D、明显高于

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• 绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力场效应管。

  A . A、稍高于 B . B、低于 C . C、等于 D . D、远高于

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• 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）。

  A . A、高 B . B、相同 C . C、低 D . D、不一定高

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• 要使绝缘栅双极晶体管导通，应（）。

  A . A、在栅极加正电压 B . B、在集电极加正电压 C . C、在栅极加负电压 D . D、在集电极加负电压

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• 逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用电力场效应管和绝缘栅双极晶体管。

  A . 正确 B . 错误

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• 绝缘栅双极晶体管属于电流控制元件。

  A . 正确 B . 错误

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• 绝缘栅双极晶体管具有速度快，输入阻抗高，通态电压低，耐压高，电流量大的特点。（)

  是 否

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• 绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗低，为电压驱动，驱动功率大（）

  A．正确 B．错误 C．0 D．0

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• 绝缘栅双极晶体管具有（D）的优点（）

  A．晶闸管 B．单结晶体管 C．电力场效应管 D．电力晶体管和电力场效应管

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• 电力场效应晶体管的开关速度快于绝缘栅双极晶体管（）

  是 否

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• 请在空格内标出下面元件的英文大写简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有（）、（）、（）、（）几种。并写出它们的电气符号。

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