当二极管外加的正向超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（）
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发光二极管在正向电压小于某一值（）时，电流极小，不发光；当电压超过某一值后正向电流随电压迅速增加，发光。
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锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
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在下列关于锗二极管“死区电压／在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。
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当二极管外加反向电压在反向击穿电压以内范围变动时，反向电流（）。
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半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。
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当二极管外加反向电压超过一定数值后，反向电流突然（），此称为二极管反向击穿，这时所对应的电压称为反向击穿电压。
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发光二极管在正向电压（）某一值时，电流极小，不发光；当电压（）某一值后正向电流随电压迅速增加，发光。
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在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。
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当二极管外加电压时，反向电流很小，且不随（）变化。
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当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流流过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。
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当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。
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硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。
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当二极管所加电压很低时，正向（）非常小，属于弱导通状态，通常称这个区域为死区。
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当对半导体二极管外加正向电压时（），外加反向电压时（）。
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二极管正向电压大于死区电压后，正向（）开始明显增加，并且随着正向电压加大，二极管呈现充分导通状态。
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有A、B两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA和，在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA，你认为哪一个管的性能较好？
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当二极管外加的正向电压超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（）。
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当PN结外加正向电压时，（）增加，耗尽层变窄。
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有A、B、C三个二极管，测得它们的反向电流分别是2mA、0.5mA、5mA；在外加相同的正向电压时，电流分别为10mA、 30mA、15mA。比较而言，哪个管子的性能最好？
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当正向电压很小时，二极管的正向电流几乎为零，呈现高电阻;当正向电压超过某一数值后，正向电流迅速增加，这时正向电阻很小。（)
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当二极管外加电压时，反向电流很小，且不反向电压变化（）
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【判断题】（）当二极管外加电压时，反向电流很小、且不随反向电压变化。
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在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（)。
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要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压（）
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