单结晶体管的发射极电压高于峰点电压时，晶体管导通。（ ）
相似题目
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在摘机状态，电压升高，使晶体管饱和导通下集电极电压为（）时，允许键主输入。
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单结晶体管的发射极电压升到（）电压时，单结晶体管就导通。
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用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时，X轴作用开关应置于基极电压，Y轴作用开关置于基极电流或基极源电压。
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单结晶体管导通后，其发射极电流小于谷点电流时，就会恢复截止。
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交流脉冲调宽式晶体管电压调节器，当发电机电压降低时，功放管的导通比（）
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单结晶体体管的参数很多，其中峰点电压Up和峰点电流Ip及谷点电压Uu和俗点电流Iu两项参数的含义是什么？
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对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
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晶体管工作在放大状态时，必须满足外加电压发射结（），集电结（）。
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在单结晶体管的电路中，电容上的电压象锯齿一样的变化，形成有规律的振荡，所以叫（）电路。
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单结晶体管的振荡电路是利用单结晶体管发射特性中的（）。
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当单结晶体管的发射极电压UE升高到（）时，就会导通。
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晶体三极管的输入特性曲线是非线性的，当输入电压小于某一临界值时，管子不导通，Ib=0，这个临界电压称为（）
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一般单结晶体管的谷点电压在（）V。
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晶体管非门电路如图所示，已知U cc ＝15V，U B ＝－9V，R c ＝3kΩ，R B ＝20kΩ，β＝40，当输入电压U1＝5V时，要使晶体管饱和导通，R x 的值不得大于（）kΩ。（设U BE ＝0.7V，集电极和发射极之间的饱和电压U ces ＝0.3V） https://assets.asklib.com/psource/2016071816380514825.jpg
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加在发射极上的电压高于峰点电压后，单结晶体管就导通。（）
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单结晶体管由负阻转化为饱的转折点时的发射极电压成为（）电压。
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（）由发光二极管和光敏晶体管组成，当在发光二极管二端加正向电压时，发光二极管点亮，照射光敏晶体管使之导通，产生输出信号。
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晶体二极管的特性，只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。
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单结晶体管的图形符号中有（）发射极。
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单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。此题为判断题(对，错)。
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晶体二极管的特性：具有单向导电性，只有在正向电压时截止，而在反向电压时不能导通，即它使电流只能从负极流向正极。此题为判断题(对，错)。
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2、NPN型晶体管饱和导通后，晶体管的输出电压等于（）。
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电路如图所示，稳压管的稳定电压UZ＝4.3V，晶体管的UBE＝0.7V，R1＝R2＝R3＝300Ω，R0＝5Ω。试估算： （1）输出电压的可调范围； （2）调整管发射极允许的最大电流； （3）若UI＝25V，波动范围为±10％，则调整管的最大功耗为多少。