可控硅导通后，触发信号（）。
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无触点CDI点火系统在可控硅导通后（）。
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正常工作时，必须在控制极与阴极间加合适的触发电压使其导通，导通后的晶闸管特性与二极管的正向特性不同。
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可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右
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可控硅导通后，若控制极失去控制作用，则可控硅就关断。
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正常情况下，当可控硅两端（）电压时，仅在门极有触发电流的情况下，可控硅才会导通。
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可控硅导通后，阳极与阴极之间只要瞬间短路，可控硅就立即关断。
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单向可控硅导通后，要使其可靠关断，可采取（）措施。
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如果可控硅导通后，下列说法中正确的有（）。
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三相半波可控整流电路带电阻负载时，每只晶闸管的最大导通角为（），其触发延迟角α的移相范围是（）
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三相半波可控整流电路带电阻负载时，当触发角α满足（）时，负载电流断续，晶闸管导通角小于120度。
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可控硅导通后，通过可控硅电流的大小取决于控制极电流的大小。（）
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当可控硅导通后，下列（）说法是正确的。
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可控硅导通后，只要控制极开路，可控硅立即关断。
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可控硅导通后，控制极就失去了控制作用，当阳极电流下降到（）维持电流时，才恢复阻断。
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加正触发信号导通，加负触发信号截止的可控硅称为可（）可控硅。
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可控硅元件一旦导通后，如欲要使可控硅元件关断，可通过以下哪些方法（）。
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可控硅导通后即使触发电压消失，由于（ ）作用仍能保持导通。
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单结晶体管脉冲触发电路中，调节电位器RP可以改变电容C充电的快慢，即改变触发角，RP变大或C值越大则控制角也越大，可控硅的导通角也越大。（)
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＞晶闸管导通后，切除触发电压，晶闸管仍能保持导通（）
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可控硅一经触发后，就可以维持导通状态。（)
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三相全控桥可控整流电路为了保证整流电路可靠导通，6个晶闸管触发脉冲在相位上依次相差（）
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晶闸管导通后，切除触发电压，晶闸管处于（)状态。
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可控硅导通后其作用与二极管不同。（)
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3、带电感负载的三相半波可控整流电路，当触发角大于30°时，各相晶闸管的导通较为（）
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