安装CU子卡FIM和ICM时，按跳线方式安装在CU母板上。
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关于高密度机箱中CU的安装，下面说法正确的是（）
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安装CU子卡之前应把ESD腕带与地相连。
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安装CU子卡时，无论是FIM子卡还是ICM子卡，在操作前（）
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在高密度机箱中安装的CU少于（）个时，所有未安装CU的槽位都须将钮子开关设在“NO”（端接）位置上。
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某黏土试样在三轴仪中进行固结不排水试验，破坏时的孔隙水压力为μ f ，两个试件的试验结果为： 试件Ⅰ： https://assets.asklib.com/psource/2014091816470728289.jpg 试件Ⅱ： https://assets.asklib.com/psource/201409181646353805.jpg 试求：A.用作图法确定该黏土试样的c cu ，φ cu 和c'，φ cu ；（b）试件Ⅱ破坏面上的法向有效应力和剪应力；（c）剪切破坏时的孔隙水压力系数A。
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在卫星链路和DDN链路均正常的状态下，CU2000中线路选择置于“自动位”时，发射信号只经卫星线路传输。
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在高密度机箱中安装的CU少于4个时，所有未安装CU的槽位都须将钮子开关设在“NO”（端接）位置上。
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在II机箱中安装的CU少于4个时，所有未安装CU的槽都须将跳接块设在（）
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纯铜焊接时，熔池结晶时易在晶界形成Cu2O--Cu共晶，使接头性能降低。
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交接箱内的跳线环安装在箱体（）和两侧。
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Al及合金、Cu及Cu合金的焊接热影响区组织在焊接加热和冷却作用下有明显变化焊接接头性能无变化。
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在卫星链路和DDN链路均正常的状态下，CU2000中线路选择置于“自动位”时，有接收信号时两条链路均指示占用。
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用EDTA法测定铜合金（Cu、Zn、Pb）中Zn和Pb的含量时，一般将制成的铜合金试液先用（）在碱性条件下掩蔽去除Cu2+、Zn2+后，用EDTA先滴定Pb2+，然后在试液中加入甲醛，再用EDTA滴定Zn2+。
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含40％Cu的Al－Cu合金，经固溶处理后在室温放置，强度和硬度会明显升高。这种现象称为（）。
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CU（Channel Unit）板可通过控制处理器命令，使其工作在常用的两种配置方式下，这两种配置方式为（）
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在电池反应Ni(s) +Cu2+ (aq) = Ni2+(1.0mol·dm-3) +Cu(s)中，当该电池的电动势E=0时，Cu2+浓度为（ψϴ(Cu2+/Cu) = 0.3419V ，ψϴ(Ni2+/Ni) =-0.257V）
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298K时，已知ψϴ(Ag+/Ag)=0.80V，ψϴ(Cu2+/Cu)=0.34V，在标准Ag-Cu原电池正极半电池中加入氨水，则
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已知溶液中（Ag+/Ag)=0.800V，（Cu2+/Cu)=0.345V，在25℃时在含有0.01mol·L-1的Ag+和1mol·L-1的CuSO4溶液中，首先
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0.1mol·L-1Ag+和1mol·L-1Cu2+混合溶液，为了使Ag完全析出而Cu不析出，应控制阴极电位在范围。（已知φoAg+，Ag=0.799V，φoCu2+，Cu=0.337V，假设溶液中Ag+浓度为10-6（10的-6次方）mol/L时认为Ag完全析出）
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以5G设备BBU(CU和DU合设)+ AAU方式进行设备的安装的背景下，5G基站S111配置情况下，单站典型功率2700W，单站峰值功率3700W，单站电源容量配置需求2*100A。()此题为判断题(对，错)。
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重启SOM板时，第一步同时按下SOM板上的按钮和任意一块ECC-CU板的DELPB按钮
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用EDTA法测定铜合金（Cu、Zn、Pb）中Zn和Pb的含量时,一般将制成的铜合金试液先用（）在碱性条件下掩蔽去除Cu2+、Zn2+后,用EDTA先滴定Pb2+,然后在试液中加入甲醛,再用EDTA滴定Zn2+
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5G中当CU和DU分离时，CU和DU之间的接口是（)。
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1、计算在Al-Cu二元合金中，Cu的质量百分比为5%时，相对应的Cu和Al的原子百分比分别为多少？