干氧氧化法具备以下一系列的优点()。

A . 生长的二氧化硅薄膜均匀性好 B . 生长的二氧化硅干燥 C . 生长的二氧化硅结构致密 D . 生长的二氧化硅是很理想的钝化膜 E . 生长的二氧化硅掩蔽能力强

时间:2022-09-19 07:26:05 所属题库:集成电路制造工艺员(三级)题库

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