三极管饱和压降（名词解释)
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二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。
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锗二极管的正向压降通常为（）。
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锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。
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普通电力二极管正向通态压降为（）V。
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功率二极管的正向压降Ud约为（）。
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当温度升高时，三极管的等电极电流I（），发射结压降BEU（）。
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电源电压等于＋12V，三极管若工作在饱和状态时其集电极与发射极之间饱和压降为（）
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硅二极管导道的饱和压降为（）
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硅二极管导通电压降一般在（）伏左右。
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接通电路，测量调节器大功率三极管的管压降过低（小于0.6V），说明三极管（）。
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常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。
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当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降（）。
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在如图11-35所示OCL电路中，已知V=12V，RL=16Ω，输入电压ui为正弦波，三极管的饱和管压降｜UCES｜≈0V。则负载上可能得到的最大输出功率为（）W。
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在图11-36所示OCL电路中，已知输入电压ui为正弦波，负载电阻RL上得到的最大输出功率Pom为4W，三极管的饱和管压降｜UCES｜≈1V。则电源电压V至少应取（）V。https://assets.asklib.com/psource/2015110114454662221.jpg
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二极管导通后，正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为（ ），锗管的正向压降为（ ）
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在图11-36所示OCL电路中，已知输入电压ui为正弦波，负载电阻RL上得到的最大输出功率Pom为4W，三极管的饱和管压降｜UCES｜≈1V。则电源电压V至少应取（）V。
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在图4.4.1（a)和（b)所示的互补对称电路中，已知Vcc=6V，R<sub>L</sub>=8Ω，假设三极管的饱和管压降U<sub>CES⌘
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硅二极管的正向压降约为（）。（晶体管）
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当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic增加，发射结压降∪BE减小（）
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接通电路，利量调节器大功率三极管的管压降过低（小于0.6V）,说明三极管（）
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接通电路，测量调节器大功率三极管的管压降过低（），说明三极管
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在图所示OCL电路中，已知输入电压为正弦波，三极管的饱和管压降。则下列说法中错误的是（）
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15、JBS二极管漂移区的压降（）。
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5、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降
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